[发明专利]发光二极管与其制作方法有效
申请号: | 201610867377.6 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106711301B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 与其 制作方法 | ||
本发明公开了一种发光二极管与其制作方法,该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层,且在其内具有至少一个电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域,使流入发光二极管的电流密度可获得提升。
技术领域
本发明内容涉及一种发光二极管与其制作方法。
背景技术
近年来,发光二极管(light-emitting diode;LED)已经普遍使用在一般家庭和商业照明应用中。作为光源,发光二极管具有多方面的优点,包含低的能量消耗、长的寿命、小的尺寸以及快的开关速度,因此传统的照明光源,例如白炽灯,已逐渐被发光二极管光源所替换。在发光二极管中,当电子与空穴跨过半导体带隙而复合,复合能量会以光子的形式发射并产生光线。此复合机制就是所谓的辐射复合(radiative recombination)。
在使用发光二极管阵列的发光二极管显示器中,为了提供适当的亮度,例如500尼特(nit)至3000尼特,每个发光二极管的发射能量必须精准地控制。否则,发光二极管显示器的亮度将会太大。换言之,控制发射能量并维持显示器的效率与均匀性是重要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提升流入发光二极管电流密度的发光二极管与其制作方法。
本发明内容的部分实施方式提供一种发光二极管,该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层,且在其内具有至少一电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。
本发明内容的部分实施方式提供一种发光二极管的制作方法,包含以下步骤。在成长基材上形成发光二极管,其中形成发光二极管的步骤包含形成至少一个支撑层,且支撑层作为第一型半导体上的第一电极。通过黏合层,暂时性将支撑层与载体基板黏合,其中支撑层的杨氏系数大于黏合层的杨氏系数。从发光二极管结构上移除成长基材。
本发明提供的发光二极管与其制作方法,通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域,可以提升流入发光二极管的电流密度。
附图说明
图1为根据本发明内容的部分实施方式绘示微型发光二极管设置于接收基板上的剖面侧视图。
图2A为根据本发明内容的部分实施方式绘示块状发光二极管基材的剖面侧视图。
图2B为绘示图2A中的PN二极管层的放大图。
图2C为根据本发明内容的部分实施方式绘示将经图案化的电流控制层形成于图2A中的PN二极管层上的剖面侧视图。
图2D为根据本发明内容的部分实施方式绘示将第一导电层形成于图2C中的经图案化的电流控制层上的剖面侧视图。
图2E为根据本发明内容的部分实施方式绘示载体基板与黏合层的剖面侧视图。
图2F为根据本发明内容的部分实施方式绘示将图2D所示的结构与图2E所示的结构相互接合的剖面侧视图。
图2G为根据本发明内容的部分实施方式绘示由图2F所示的接合结构移除成长基材并薄化PN二极管层的剖面侧视图。
图2H为根据本发明内容的部分实施方式绘示蚀刻图2G所示的PN二极管层与第一导电层以形成微型PN二极管的剖面侧视图。
图2I为根据本发明内容的部分实施方式绘示转移头将微型发光二极管由图2H所示的载体基板拾起的剖面侧视图。
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