[发明专利]用于减少MEMS器件工艺中和使用中的粘附的方法和装置

权利要求书

1.一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法，包括：

在第一衬底的第一侧上形成层，其中所述层包括多个嵌入所述第一衬底的突起部段，每个所述突起部段在俯视图中具有纵长形状并且在第二方向中延伸；

将所述第一衬底粘合至包括空腔的第二衬底，其中在所述粘合后所述层设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间并且在所述空腔上方；以及

蚀刻所述第一衬底的第二侧以形成微电子机械系统器件的多个可移动的组件，所述第二侧与所述第一侧相对，其中所述微电子机械系统器件的所述可移动的组件连接到所述层，所述微电子机械系统器件的每个所述可移动的组件在俯视图中具有纵长形状并且在第一方向中延伸。

2.根据权利要求1的所述的方法，进一步包括：在形成所述微电子机械系统器件的所述可移动的组件之后，使用干法释放工艺去除所述层的至少一部分。

3.根据权利要求2的所述的方法，其中，使用蒸汽氢氟酸(vHF)形成所述干法释放工艺。

4.根据权利要求1的所述的方法，其中，所述层包括氧化硅。

5.根据权利要求1的所述的方法，其中：

在俯视图中，所述突起部段在第一方向中彼此分离；并且

在俯视图中，所述微电子机械系统器件的所述可移动的组件在第二方向中彼此分离，所述第二方向不同于所述第一方向。

6.根据权利要求5的所述的方法，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

7.根据权利要求1的所述的方法，其中，形成所述层包括：

在所述第一衬底的所述第一侧中蚀刻多个沟槽；以及

在所述衬底的所述第一侧上方沉积所述层，其中所述层的填充所述沟槽的部分形成所述多个突起部段。

8.根据权利要求1的所述的方法，进一步包括：在所述粘合前，在所述第二衬底上方形成氧化硅层，其中，执行所述粘合使得所述氧化硅层粘合在所述第一衬底和所述第二衬底之间。

9.一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法，包括：

在第一衬底的第一侧中形成多个开口；

在所述衬底的所述第一侧上方形成介电层，其中所述介电层的多个部段填充所述开口，所述介电层的每个所述部段沿着第二轴线延伸；

将所述第一衬底的所述第一侧粘合至包括空腔的第二衬底，其中，执行所述粘合使得所述介电层的所述部段设置在所述空腔上方；

将所述第一衬底的设置在所述空腔上方的一部分转化为微电子机械系统器件的多个可移动的组件，其中，所述可移动的组件与所述介电层物理接触，所述微电子机械系统器件的每个所述可移动的组件沿着第一轴线延伸；以及

随后在不使用液态化学品的情况下去除所述介电层的一部分。

10.根据权利要求9的所述的方法，其中：

所述转化包括从所述第一衬底的与所述第一侧相对的第二侧执行蚀刻工艺；并且

所述介电层用作所述蚀刻工艺的蚀刻停止层。

11.根据权利要求9的所述的方法，其中，所述去除包括应用蒸汽氢氟酸(vHF)来去除所述介电层的一部分。

12.根据权利要求9的所述的方法，其中，所述介电层包括氧化硅。

13.根据权利要求9的所述的方法，其中：

所述介电层的所述部段在水平面中沿着第一轴线彼此间隔开；并且

所述微电子机械系统器件的所述可移动的组件在水平面中沿着第二轴线彼此间隔开，所述第二轴线垂直于所述第一轴线。