[发明专利]基于模块知识的智能计量

权利要求书

1.一种用于智能线上计量的方法，所述方法包括：

在工件上的第一组检验位点处测量所述工件的参数，其中所述参数为薄膜的厚度；

使用所述第一组检验位点处的所述测量值确定是否满足第一规格，其中所述确定是否满足所述第一规格包括：在逐位点基础上将所述第一组检验位点处的所述测量值与所述第一组检验位点处的历史值进行比较，且其中所述历史值是所述第一组检验位点中的所述位点所独有的；

响应于满足所述第一规格，在所述工件上的第二组检验位点处估计所述参数；及

响应于不满足所述第一规格，在所述第二组检验位点处测量所述参数且使用所述第二组检验位点处的所述测量值确定是否满足第二规格。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

响应于满足所述第一规格，使用所述第二组检验位点处的所述估计值确定是否满足第三规格；及

响应于确定不满足所述第三规格，在所述第二组检验位点处测量所述参数且使用所述第二组检验位点处的所述测量值确定是否满足所述第二规格。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述确定是否满足所述第三规格包括：

确定所述第一组检验位点处的所述测量值及所述第二组检验位点处的所述估计值两者的平均厚度是否在所述第三规格的限度内。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

执行半导体制造工艺以在所述工件上方形成薄膜，其中所述参数的所述测量包括在所述第一组检验位点中的每一位点处测量所述薄膜的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述确定是否满足所述第一规格包括：

确定所述厚度测量的平均厚度；

将所述平均厚度与所述第一规格的厚度限度进行比较；及

将所述厚度测量值与历史厚度测量值进行比较。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

使用工艺工具对所述工件执行薄膜半导体制造工艺，其中所述工艺工具包括多个工件位置，其中所述工件被布置于所述工件位置中的单个位置处，且其中所述历史值对应于所述工件位置中的特定的所述单个位置。

7.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述参数的所述估计使用与所述工件位置中的所述单个位置相对应的特定的预测模型，使得所述工件位置中的另一位置具有与所述工件位置中的所述单个位置不同的预测模型。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组检验位点处的所述测量值界定局部厚度分布曲线，其中所述局部厚度分布曲线是包括针对所述第一组检验位点中的每一位点的测量值的向量，其中所述历史值界定历史厚度分布曲线，其中所述历史厚度分布曲线是包括针对所述第一组检验位点中的每一位点的历史值的向量，其中所述历史值是从相应检验位点处的历史平均值导出，且其中所述确定是否满足所述第一规格包括在逐位点基础上将所述历史厚度分布曲线与所述局部厚度分布曲线进行比较。

9.一种用于智能线上计量的方法，所述方法包括：

对工件执行半导体制造工艺；

在所述工件上的第一组检验位点处测量所述半导体制造工艺的输出参数；

使用所述第一组检验位点处的所述测量值及关于先前半导体制造工艺或其它工件的历史知识确定是否满足第一规格；

响应于满足所述第一规格，在所述工件上的第二组检验位点处估计所述输出参数；

响应于不满足所述第一规格，在所述第二组检验位点处测量所述输出参数且使用所述第二组检验位点处的所述测量值确定是否满足第二规格；

将所述工件上的光敏层图案化以在所述光敏层中形成图案，其中所述半导体制造工艺经执行以将所述图案转印到下伏于所述光敏层的目标层；及

在所述工件上的第三组检验位点处测量所述光敏层中的所述图案的临界尺寸；

其中所述第一组检验位点与所述第三组检验位点重叠但并非相同的，且其中所述第二组检验位点由所述第三组检验位点中不与所述第一组检验位点重叠的位点界定。