[发明专利]用于保持晶片的容纳装置有效
申请号: | 201610870884.5 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN106887399B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | M.温普林格;T.瓦根莱特纳;A.菲尔伯特 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保持 晶片 容纳 装置 | ||
1.用于将第一晶片与第二晶片对齐的装置,具有下面的特征:
-用于确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差的装置,
-至少一个用于容纳并且保持晶片的容纳装置,具有以下特征:
a)保持面(1o),
b)用于将晶片保持在保持面(1o)处的保持装置,和
c)补偿装置(3,4,5,6),用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿,其中保持面(1o)的温度能通过补偿装置(3,4,5,6)局部地被影响,和
-用于通过补偿装置的补偿来对齐晶片的对齐装置。
2.根据权利要求1所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个加热/冷却元件。
3.根据权利要求2所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)仅提供多个加热元件。
4.根据权利要求1所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个珀耳帖元件。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,通过所述补偿装置(3,4,5,6)通过在Z方向上的机械作用能够局部地影响所述保持面(1o)的形状。
6.根据权利要求1所述的装置,其中能够从所述保持面(1o)的背面(1r)通过所述补偿装置(3,4,5,6)局部地液动和/或气动地向所述保持面(1o)施加压力。
7.根据权利要求1所述的装置,其中将所述补偿装置(3,4,5,6)设置为在所述容纳装置中的多个有源控制元件。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述多个有源控制元件被嵌入在所述保持面(1o)中。
9.根据权利要求7所述的装置,其中能够单独地操控每个控制元件或控制元件组。
10.用于将第一晶片与第二晶片对齐的方法,具有下面的步骤:
-确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差,
-将至少一个晶片容纳到用于容纳并且保持晶片的容纳装置中,所述容纳装置具有以下特征:
a)保持面(1o),
b)用于将晶片保持在保持面(1o)处的保持装置,和
c)补偿装置(3,4,5,6),用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿,其中保持面(1o)的温度能通过补偿装置(3,4,5,6)局部地被影响,并且
-通过补偿装置的补偿来对齐晶片。
11.根据权利要求10所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个加热/冷却元件。
12.根据权利要求11所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)仅提供多个加热元件。
13.根据权利要求10所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个珀耳帖元件。
14.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,通过所述补偿装置(3,4,5,6)通过在Z方向上的机械作用局部地影响所述保持面(1o)的形状。
15.根据权利要求10所述的方法,其中能够从所述保持面(1o)的背面(1r)通过所述补偿装置(3,4,5,6)局部地液动和/或气动地向所述保持面(1o)施加压力。
16.根据权利要求10所述的方法,其中将所述补偿装置(3,4,5,6)设置为在所述容纳装置中的多个有源控制元件。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述多个有源控制元件被嵌入在所述保持面(1o)中。
18.根据权利要求16所述的方法,其中能够单独地操控每个控制元件或控制元件组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造