[发明专利]用于保持晶片的容纳装置有效

专利信息
申请号: 201610870884.5 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN106887399B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: M.温普林格;T.瓦根莱特纳;A.菲尔伯特 申请(专利权)人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/66
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛
地址: 奥地利圣*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 保持 晶片 容纳 装置
【权利要求书】:

1.用于将第一晶片与第二晶片对齐的装置,具有下面的特征:

-用于确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差的装置,

-至少一个用于容纳并且保持晶片的容纳装置,具有以下特征:

a)保持面(1o),

b)用于将晶片保持在保持面(1o)处的保持装置,和

c)补偿装置(3,4,5,6),用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿,其中保持面(1o)的温度能通过补偿装置(3,4,5,6)局部地被影响,和

-用于通过补偿装置的补偿来对齐晶片的对齐装置。

2.根据权利要求1所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个加热/冷却元件。

3.根据权利要求2所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)仅提供多个加热元件。

4.根据权利要求1所述的装置,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个珀耳帖元件。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,通过所述补偿装置(3,4,5,6)通过在Z方向上的机械作用能够局部地影响所述保持面(1o)的形状。

6.根据权利要求1所述的装置,其中能够从所述保持面(1o)的背面(1r)通过所述补偿装置(3,4,5,6)局部地液动和/或气动地向所述保持面(1o)施加压力。

7.根据权利要求1所述的装置,其中将所述补偿装置(3,4,5,6)设置为在所述容纳装置中的多个有源控制元件。

8.根据权利要求7所述的装置,其中所述多个有源控制元件被嵌入在所述保持面(1o)中。

9.根据权利要求7所述的装置,其中能够单独地操控每个控制元件或控制元件组。

10.用于将第一晶片与第二晶片对齐的方法,具有下面的步骤:

-确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差,

-将至少一个晶片容纳到用于容纳并且保持晶片的容纳装置中,所述容纳装置具有以下特征:

a)保持面(1o),

b)用于将晶片保持在保持面(1o)处的保持装置,和

c)补偿装置(3,4,5,6),用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿,其中保持面(1o)的温度能通过补偿装置(3,4,5,6)局部地被影响,并且

-通过补偿装置的补偿来对齐晶片。

11.根据权利要求10所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个加热/冷却元件。

12.根据权利要求11所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)仅提供多个加热元件。

13.根据权利要求10所述的方法,其中作为所述补偿装置(3,4,5,6)提供多个珀耳帖元件。

14.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,通过所述补偿装置(3,4,5,6)通过在Z方向上的机械作用局部地影响所述保持面(1o)的形状。

15.根据权利要求10所述的方法,其中能够从所述保持面(1o)的背面(1r)通过所述补偿装置(3,4,5,6)局部地液动和/或气动地向所述保持面(1o)施加压力。

16.根据权利要求10所述的方法,其中将所述补偿装置(3,4,5,6)设置为在所述容纳装置中的多个有源控制元件。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述多个有源控制元件被嵌入在所述保持面(1o)中。

18.根据权利要求16所述的方法,其中能够单独地操控每个控制元件或控制元件组。

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