[发明专利]用于保持晶片的容纳装置

说明书

本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：‑保持面（1o），‑用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和‑补偿装置（3，4，5，6），‑用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿，其中所述补偿可以通过温度加以控制。本发明还涉及用于使用前述容纳装置将第一晶片与第二晶片对齐的装置和方法。

本申请是申请号为201080070797.2、申请日为2010年12月20日的同名称申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置和用于在使用该容纳装置的情况下将第一晶片与第二晶片对齐的装置和方法。

背景技术

这种容纳装置或者样品保持器或夹盘以许多实施方式存在，并且对于容纳装置，平坦的容纳面或者保持面是决定性的，由此在越来越大的晶片面上的变得越来越小的结构可以在整个晶片面上被正确地对齐和接触。如果所谓的预键合步骤（该预键合步骤将晶片借助可分离的连接相互连接）在实际的键合过程之前执行的话，这是特别重要的。只要对于所有在一个或两个晶片上设置的结构应当实现＜2μm的对准精度或者尤其是变形值，晶片彼此之间的高度对齐精度就是特别重要的。在已知的容纳装置和用于对齐的装置（即所谓的对准器、尤其是键合对准器）中，在对齐标记附近这能非常好地达到。随着离对齐标记的距离的增大，具有好于2μm、优选好于1μm并且进一步优选好于0.25μm的对齐精度或尤其是变形值的经检查并且完美的对齐是不可实现的。

发明内容

本发明的任务是，这样改善按照类型的容纳装置，使得利用其可以实现更精确的对齐。

该任务利用一种用于容纳并且保持晶片的容纳装置解决，该容纳装置具有下面的特征：保持面，用于将晶片保持在保持面处的保持装置，和补偿装置，用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿，其中所述补偿能够通过温度加以控制。该任务还利用一种用于将第一晶片与第二晶片对齐的装置解决，该装置具有下面的特征：用于确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差的装置，至少一个用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有以下特征：a)保持面，b)用于将晶片保持在保持面处的保持装置，和c)补偿装置，用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿，其中所述补偿能够通过温度加以控制，和用于通过补偿装置的补偿来对齐晶片的对齐装置。该任务还通过用于将第一晶片与第二晶片对齐的方法解决，该方法具有下面的步骤，尤其是下面的顺序：确定由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差，将至少一个晶片容纳到用于容纳并且保持晶片的容纳装置中，所述容纳装置具有以下特征：a)保持面，b)用于将晶片保持在保持面处的保持装置，和 c)补偿装置，用于对晶片的全局变形进行主动的、至少部分的补偿，其中所述补偿能够通过温度加以控制，并且通过补偿装置的补偿来对齐晶片。

本发明的有利的改进方案在下面说明。落入本发明的范畴中的还有在说明书和/或附图中说明的特征的至少两个的全部组合。在所说明的值范围中，在所述界限内的值也应当作为界限值被公开并且可以以任意组合被请求保护。

本发明基于按照欧洲专利申请EP 09012023和EP10 015 569的申请人的认识，其中利用前面提到的认识，整个表面的检测、尤其是将在每个晶片表面上的结构的位置作为晶片位置图是可能的。后面提到的发明涉及用于求得在将第一晶片与第二晶片连接时由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的局部对齐误差的装置，具有：

-沿着第一晶片的第一接触面的伸长值的第一伸长图和/或

-沿着第二接触面的伸长值的第二伸长图和

-用于分析第一和/或第二伸长图的分析装置，通过其可以求得局部的对齐误差。