[发明专利]基板污染物分析装置及基板污染物分析方法

权利要求书

1.一种基板污染物分析装置，作为在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述喷嘴包括喷嘴尖头部，

在所述喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。

2.根据权利要求1所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

通过形成于所述喷嘴尖头部的内侧的流路，向所述分析对象基板侧至少提供用于所述蚀刻的蚀刻溶液和用于稀释所述蚀刻溶液的稀释溶液，并且，从所述分析对象基板吸入捕集污染物的样本溶液。

3.根据权利要求2所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

用于吸入所述样本溶液的管道的前端位于相比用于提供所述蚀刻溶液或所述稀释溶液的管道的前端向下至所述分析对象基板的表面侧。

4.一种基板污染物分析装置，作为在分析对象基板利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述喷嘴的喷嘴尖头部包括第1喷嘴尖头和包裹所述第1喷嘴尖头的外周面的第2喷嘴尖头，通过所述第1喷嘴尖头和所述第2喷嘴尖头的间隔排出净化气体，

在所述第1喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。

5.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

为了所述排气通道的排气，与所述喷嘴至少结合有排气管道，该排气通道的一端与所述排气通道连通，另一端与排气装置连接。

6.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述排气通道通过连通口与所述喷嘴的外部连通。

7.根据权利要求1或4所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

还包括用于支撑所述喷嘴的喷嘴托架，所述喷嘴尖头部并非固定于所述喷嘴托架，而安置在其上。

8.根据权利要求7所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述喷嘴还包括从所述喷嘴尖头部的上方与所述喷嘴托架结合的喷嘴头，

与所述喷嘴头结合有用于向所述喷嘴供应溶液及从所述喷嘴排出溶液的管道。

9.一种基板污染物分析装置，作为导入接收在半导体制造工艺中的晶圆进行气相分解后，将捕集污染物的溶液向分析仪输送，并通过所述分析仪进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，

包括回收利用单元，其为了回收利用完成所述污染物的捕集的晶圆，在通过晶圆夹夹持的状态下，通过至少包括酸系列或盐基系列的化学物质的溶液进行处理；

所述晶圆夹包括晶圆夹持器，其可旋转地固定于托架，具有与所述晶圆的侧面接触的接触部和第1磁石，

所述晶圆夹持器当所述晶圆夹旋转时，所述接触部向加压所述晶圆的侧面的方向旋转。

10.根据权利要求9所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

形成有外部磁石，其固定于腔室，由此，在所述晶圆夹在执行所述处理的反应位置时，使得所述第1磁石受到所述接触部加压所述晶圆的侧面的方向的力量。

11.根据权利要求10所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述外部磁石，包括：

第2磁石，所述晶圆夹在执行所述处理的反应位置时，向所述接触部加压所述晶圆的侧面的方向，向所述第1磁石施加力量；

第3磁石，所述晶圆夹在装载或卸载所述晶圆的装载/卸载位置时，向使得所述接触部逐渐远离所述晶圆的侧面的方向，向所述第1磁石施加力量。

12.根据权利要求11所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述第2磁石固定安装于所述腔室的下部，

所述第3磁石固定安装于所述腔室的侧面。

13.根据权利要求11所述的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述装载/卸载位置位于将所述晶圆向所述腔室导入的位置与所述反应位置之间。