[发明专利]基板污染物分析装置及基板污染物分析方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够通过In-Line分析金属原子等污染物的基板污染物分析装置及基板污染物分析方法。

背景技术

作为以往有关半导体晶圆的污染物分析装置，公开了一种为了分析在晶圆表面吸附的金属性污染源，自动扫描晶圆表面而捕集污染物的装置结构等。

在半导体制造工艺中发生的缺点(Defect)或不良及长期使用时寿命缩短等的主要原因之一是因为金属(金属)杂质。但，金属杂质不仅存在于晶圆表面，还存在于晶圆内部(基体:Bulk)，此类金属杂质在晶圆制造工艺中可直接形成于基体，也可因金属杂质的特性从外部入侵于基体，从而，在基体区域形成的此类金属杂质成为元件的电性异常等不良原因。

但，上述的基板污染物分析装置存在如下问题：即只能扫描晶圆表面，只能分析晶圆表面的污染，而无法分析在晶圆基体(Bulk)内存在的污染物，或无法获得在晶圆的特定地点由深度方向的掺杂分布图。

并且，基板污染物分析装置是导入半导体制造工艺中的光监控晶圆进行气相分解后,利用喷嘴扫描后分析仪进行分析。基板污染物分析在气相分解及扫描过程中伴随化学蚀刻的处理，并废弃完成分析的光监控晶圆，因此，光监控晶圆的消耗费用较高。

发明内容

本发明的目的为提供一种能够解决至少一种上述的以往技术的问题点的基板污染物分析装置及分析方法，

本发明的目的为能够分析在晶圆的基体(Bulk)内存在的污染物的基板污染物分析装置及分析方法。

并且，本发明的另一目的为提供一种能够获得在晶圆的特定地点由深度方向的掺杂分布图的基板污染物分析装置及分析方法。

并且，本发明的另一目的为能够回收利用为分析而使用的光监控晶圆的基板污染物分析装置及分析方法。

本发明要解决的技术问题并非限定于以上提及的技术问题，本发明的技术领域的技术人员能够通过下述的记载明确理解未提及的其他技术性问题。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析装置，作为在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴包括喷嘴尖头部，在所述喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道，该排气通道成为排出在蚀刻所述分析对象基板的过程中发生的气体的通道。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析装置，作为在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，所述喷嘴的喷嘴尖头部包括第1喷嘴尖头和包裹所述第1喷嘴尖头的外周面的第2喷嘴尖头，通过所述第1喷嘴尖头和所述第2喷嘴尖头的间隔排出净化气体，在所述第1喷嘴尖头部的内侧沿着纵向形成有排气通道。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析方法，作为利用在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置的基板污染物分析方法，其特征在于，包括第1步骤，向所述分析对象基板隔着时间间隔顺次供应为蚀刻所述分析对象基板的蚀刻溶液的液滴和用于稀释所述蚀刻溶液的稀释的稀释溶液的液滴，并且，所述蚀刻溶液及所述稀释溶液通过流路输送至喷嘴。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析方法，作为利用在分析对象基板上利用喷嘴捕集污染物后进行分析的基板污染物分析装置的基板污染物分析方法，

根据本发明的一实施例的基板污染物分析装置，作为导入接收在半导体制造工艺中的晶圆进行气相分解后，将捕集污染物的溶液向分析仪输送，并通过所述分析仪进行分析的基板污染物分析装置，其特征在于，

包括回收利用单元，其为了回收利用完成所述污染物的捕集的晶圆，在通过晶圆夹夹持的状态下，通过至少包括酸系列或盐基系列的化学物质的溶液进行处理；所述晶圆夹包括晶圆夹持器，其可旋转地固定于托架，具有与所述晶圆的侧面接触的接触部和第1磁石，所述晶圆夹持器当所述晶圆夹旋转时，所述接触部向加压所述晶圆的侧面的方向旋转。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析装置，作为包括为了捕集·分析分析对象晶圆的污染物，在所述捕集前将所述晶圆安置于晶圆夹组件的状态下进行气相分解的气相分解单元的基板污染物分析装置，其特征在于，

所述晶圆夹组件，包括：托架，由所述晶圆夹组件的旋转中心以放射状延伸；多个真空夹喷嘴，安装于所述托架，在所述安置时使得所述晶圆的下部点接触的状态下，真空吸入并夹持。

根据本发明的一实施例的基板污染物分析装置，作为包括为了捕集·分析分析对象晶圆的污染物，在所述捕集前将所述晶圆安置于晶圆夹组件的状态下进行气相分解的气相分解单元的基板污染物分析装置，其特征在于，