[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储单元阵列，包括分组为多个页的存储单元；

外围电路，被配置成执行用于所述多个页的编程操作；以及

控制逻辑，被配置成控制外围电路，以通过将逐步地增加第一步进电压的编程电压施加至所述多个页中的选中页，以及通过将逐步地增加第二步进电压的通过电压施加至所述多个页中的未选中页，来执行编程操作，第二步进电压根据未选中页的存储单元在存储单元阵列中的位置来改变。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，存储单元沿着插塞垂直地层叠在半导体衬底上。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得：根据未选中页的存储单元在插塞上的位置，施加至未选中页的通过电压的第二步进电压保持恒定，或者增大或减小。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得：根据插塞的宽度来调节施加至未选中页的通过电压的第二步进电压。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，如果未选中页的存储单元设置在插塞相对较宽的位置处，则施加至未选中页的存储单元的通过电压增加相对较高的第二步进电压，而如果未选中页的存储单元设置在插塞相对较窄的位置处，则施加至未选中页的存储单元的通过电压增加相对较低的第二步进电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，施加至设置在插塞相对较窄的位置处的未选中页的存储单元的最后施加的通过电压比施加至设置在插塞相对较宽的位置处的未选中页的存储单元的最后施加的通过电压要低。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑将所述多个页分成多个组，并且控制外围电路，使得施加至相应组的通过电压的第二步进电压彼此不同。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得：当通过电压施加至设置在插塞相对较窄的位置处的组时，通过电压的第二步进电压逐步地减小。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得施加至相应未选中页的通过电压的第二步进电压中的每个是恒定的而与施加通过电压的迭代次数无关，或者随着施加的次数增加而增大或减小。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在施加至相应未选中页的通过电压之中，第一通过电压彼此相同或不同。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得：当通过电压施加至相邻于选中页的未选中页时，该通过电压的第二步进电压等于或大于施加至除了相邻于选中页的页之外的其余未选中页的通过电压的第二步进电压。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑控制外围电路，使得：编程电压的第一步进电压与施加至相邻于选中页的页的通过电压的每个第二步进电压之间的差值小于或等于预设值。

13.一种半导体存储器件的操作方法，其用于存储块的编程操作，存储块包括多个页，所述多个页具有沿着插塞垂直地层叠在半导体衬底上的多个存储单元，所述操作方法包括：

将逐步地增加第一步进电压的编程电压施加至所述多个页中的选中页；以及

将逐步地增加第二步进电压的通过电压施加至所述多个页中的未选中页，

其中，施加至未选中页的通过电压的第二步进电压根据未选中页的存储单元在存储单元阵列中的位置来改变。

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，施加至未选中页的通过电压的第二步进电压根据在插塞的位置或者插塞的宽度来调节。