[发明专利]半导体工艺模拟装置及方法以及计算装置

权利要求书

1.一种半导体工艺模拟方法，所述半导体工艺模拟方法包括：

基于退火模拟，将半导体工艺模拟划分成多个块；

执行与从所述多个块中选择的块对应的形状模拟；以及

基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据，并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺模拟方法，其中，执行形状模拟的步骤包括：

从输入数据库获取执行与选择的块对应的形状模拟所需要的形状数据；

基于形状数据执行与选择的块对应的形状模拟；以及

将与选择的块对应的形状模拟的结果数据存储在输出数据库中。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺模拟方法，其中，执行所述至少两个离子注入模拟的步骤包括：

从输入数据库获取执行与选择的块对应的多个离子注入模拟所需要的离子输入数据，并从输出数据库获取与对应于选择的块的形状模拟有关的结果数据；以及

基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据和离子注入数据并行地执行所述至少两个离子注入模拟。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺模拟方法，其中，执行所述至少两个离子注入模拟的步骤还包括：将所述至少两个离子注入模拟的结果数据存储在输出数据库中。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺模拟方法，其中，分别通过不同的处理器同时地执行所述至少两个离子注入模拟。

6.根据权利要求3所述的半导体工艺模拟方法，所述半导体工艺模拟方法还包括：

从输入数据库获取执行退火操作所需要的退火数据，并从输出数据库获取与所述至少两个离子注入模拟有关的第一结果数据和与在选择的块的先前块处执行的退火模拟有关的第二结果数据；以及

基于退火数据以及第一结果数据和第二结果数据，执行与选择的块对应的退火操作。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺模拟方法，其中，执行退火操作的步骤包括：通过在输出数据库中存储与对应于选择的块的退火模拟有关的第三结果数据来更新与先前的块相关的第二结果数据。

8.根据权利要求1所述的半导体工艺模拟方法，所述半导体工艺模拟方法还包括：

从与选择的块对应的多个离子注入模拟中确定是否存在由离子注入产生的缺陷数量大于参考值的离子注入模拟；以及

如果存在缺陷数量大于参考值的离子注入模拟，则重设与选择的块对应的多个离子注入模拟的顺序。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺模拟方法，其中，重设的步骤包括：

从所述多个离子注入模拟确定出现许多缺陷的第一离子注入模拟和由第一离子注入模拟改变其缺陷分布的第二离子注入模拟；以及

确定模拟的顺序，从而在对包括第二离子注入模拟的第二子块进行模拟之前执行对包括第一离子注入模拟的第一子块的模拟。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺模拟方法，其中，第一子块包括第一离子注入模拟和未因第一离子注入模拟改变其缺陷分布的第三离子注入模拟，其中，同时执行第一离子注入模拟和第三离子注入模拟。

11.根据权利要求10所述的半导体工艺模拟方法，分别由不同的处理器并行地执行第一离子注入模拟和第三离子注入模拟。

12.根据权利要求1所述的半导体工艺模拟方法，其中，执行形状模拟的步骤包括：

将与选择的块对应的形状划分成多个区；

并行地执行与所述多个区对应的子形状模拟；以及

将与并行地执行的子形状模拟有关的结果数据进行组合，以产生与对应于选择的块的形状有关的数据。