[发明专利]半导体工艺模拟装置及方法以及计算装置有效
申请号: | 201610878494.2 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106599336B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 张诚桓;金成瞮;都支星;李元锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺 模拟 装置 方法 以及 计算 | ||
提供了一种半导体工艺模拟装置、一种半导体工艺模拟方法和一种执行半导体工艺模拟的计算装置。所述半导体工艺模拟方法包括:基于退火模拟将半导体工艺模拟划分成多个块;执行与从多个块中选择的块对应的形状模拟;以及基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据,并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。
本申请要求于2015年10月16日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0144842号韩国专利申请的优先权,该申请的所有内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种半导体装置,具体地,涉及一种模拟半导体工艺的装置及其模拟方法。
背景技术
随着半导体装置的高度集成化和小型化,对基于物理模拟的半导体工艺模拟的需求正在增加,以克服半导体工艺和装置的限制并降低测试成本。
传统的半导体进度模拟是根据半导体进度顺序进行的。出于此原因,基于一个或更多个先前步骤的结果信息来进行半导体进度模拟的每个步骤的计算。由于模拟步骤根据实际的半导体工艺顺序来进展,因此,执行半导体工艺模拟所花费的总时间与步骤的模拟时间的总和相同。
然而,随着半导体装置变得更加高度集成化和小型化,使用上述半导体工艺模拟方法执行模拟操作所花费的时间量正在逐渐地增加。因此,需要一种能够缩短模拟时间的半导体工艺模拟方法和装置。
发明内容
本公开的实施例提供了一种能够缩短模拟时间的半导体工艺模拟装置及其模拟方法。
本公开的实施例的一方面提供了一种半导体工艺模拟方法。该方法可以包括:基于退火模拟将半导体工艺模拟划分成多个块;执行与从多个块中选择的块对应的形状模拟;以及基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据,并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。
本公开的实施例的另一方面涉及提供一种半导体工艺模拟装置,所述半导体工艺模拟装置包括:输入数据库,被配置为存储执行半导体工艺模拟所需要的输入数据。输出数据库被配置为存储用于半导体工艺模拟的执行结果的输出数据。工艺模拟器被配置为使用输入数据库和输出数据库来执行半导体工艺模拟。工艺模拟器可以基于退火模拟将半导体工艺模拟分成多个块,并可以并行地执行与块对应的多个离子注入模拟中的至少两个。
本公开的实施例的又一方面涉及提供一种执行半导体工艺模拟的计算装置。计算装置可以包括:输入装置,被配置为接收用于半导体工艺模拟的输入数据。输出装置被配置为接收半导体工艺模拟的结果数据。存储器被配置为存储用于半导体工艺模拟的程序例程;处理器连接到输入装置、输出装置和存储器,并被配置为控制程序例程。存储在存储器中的程序例程可以并行地执行包括在半导体工艺模拟中的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。
本公开的实施例的另一方面涉及提供一种半导体工艺模拟方法。该方法包括:基于退火模拟将半导体工艺模拟划分成一系列的块;对于所述一系列的块中的选择的一个,确定可靠性依赖于从执行第二离子注入模拟获取的信息的第一离子注入模拟;并行地执行第二离子注入模拟和第三离子注入模拟;以及使用从执行第二离子注入模拟获取的信息来执行第一离子注入模拟。
附图说明
通过参照下面的附图进行的以下描述,上面以及其它对象和特征将变得明显,其中,除非另外指明,否则贯穿各个附图,同样的附图标号指同样的部件,在附图中:
图1是示出根据本公开的实施例的模拟装置的框图;
图2至图4是示出在根据本公开的实施例的半导体工艺模拟下的半导体装置的剖视图;
图5是用于描述根据本公开的实施例的模拟方法的流程图;
图6和图7是示出根据本公开的实施例的模拟方法和传统的模拟方法的图;
图8是示出根据本公开的另一实施例的模拟装置的框图;
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