[发明专利]激光退火设备以及通过使用其制造显示设备的方法有效
申请号: | 201610878552.1 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106611703B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李洪鲁;李忠焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324;H01L27/32;G02F1/13 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 设备 以及 通过 使用 制造 显示 方法 | ||
1.一种激光退火设备,包括:
衬底支承单元,对衬底进行支承;
激光光束照射单元,将在第一方向上延伸的线激光光束照射至设置在所述衬底上的非晶硅层,所述衬底位于所述衬底支承单元上;
衬底移动单元,使所述衬底支承单元在与所述第一方向交叉的第二方向上移动;
第一光束切割件,布置在所述衬底支承单元和所述激光光束照射单元之间;以及
第二光束切割件,布置在所述衬底支承单元和所述激光光束照射单元之间,且与所述第一光束切割件间隔开,
其中,所述第一光束切割件和所述第二光束切割件进行线性移动或旋转以增大或减小所述衬底的遮蔽区域,以对照射至所述衬底的在所述非晶硅层之外的部分的所述线激光光束的至少一部分进行遮蔽,所述遮蔽区域是所述衬底的与所述第一光束切割件和所述第二光束切割件中的至少一个以及所述线激光光束重叠的区域,
其中,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述遮蔽区域的与所述第一光束切割件和所述线激光光束重叠的部分减小或增大,并且所述遮蔽区域的与所述第二光束切割件和所述线激光光束重叠的部分减小或增大,
其中:
当所述线激光光束照射至所述衬底的第一区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述遮蔽区域的与所述第一光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分减小,并且所述遮蔽区域的与所述第二光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分减小,
当所述线激光光束照射至所述衬底的第二区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述遮蔽区域的与所述第一光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分增大,并且所述遮蔽区域的与所述第二光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分减小,以及
当所述线激光光束照射至所述衬底的第三区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述遮蔽区域的与所述第一光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分增大,并且所述遮蔽区域的与所述第二光束切割件和所述线激光光束重叠的所述部分增大。
2.如权利要求1所述的激光退火设备,其中,所述第一光束切割件和所述第二光束切割件在所述第一方向或与所述第一方向相反的方向上移动,以增大或减小所述衬底的所述遮蔽区域。
3.如权利要求2所述的激光退火设备,其中
当所述线激光光束照射至所述衬底的第一区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件在所述第一方向上移动并且所述第二光束切割件在与所述第一方向相反的方向上移动,
当所述线激光光束照射至所述衬底的第二区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件在与所述第一方向相反的方向上移动并且所述第二光束切割件在与所述第一方向相反的方向上移动,
当所述线激光光束照射至所述衬底的第三区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件在与所述第一方向相反的方向上移动并且所述第二光束切割件在所述第一方向上移动。
4.如权利要求1所述的激光退火设备,其中,所述第一光束切割件和所述第二光束切割件关于与由所述第一方向和所述第二方向所限定的平面垂直的轴线顺时针地或逆时针地旋转,以增大或减小所述衬底的所述遮蔽区域。
5.如权利要求4所述的激光退火设备,其中
当所述线激光光束照射至所述衬底的第一区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件顺时针地旋转并且所述第二光束切割件顺时针地旋转,
当所述线激光光束照射至所述衬底的第二区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件逆时针地旋转并且所述第二光束切割件顺时针地旋转,
当所述线激光光束照射至所述衬底的第三区段时,随着所述衬底移动单元使所述衬底支承单元在所述第二方向上移动,所述第一光束切割件逆时针地旋转并且所述第二光束切割件逆时针地旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造