[发明专利]激光退火设备以及通过使用其制造显示设备的方法有效
申请号: | 201610878552.1 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106611703B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李洪鲁;李忠焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324;H01L27/32;G02F1/13 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 设备 以及 通过 使用 制造 显示 方法 | ||
本申请涉及一种激光退火设备以及通过使用其制造显示设备的方法。所述激光退火设备,包括:衬底支承单元,对衬底进行支承;激光光束照射单元,将在第一方向上延伸的线激光光束照射至设置在衬底上的非晶硅层,衬底位于衬底支承单元上;衬底移动单元,使衬底支承单元在与第一方向交叉的第二方向上移动;以及第一光束切割件和第二光束切割件,布置在衬底支承单元和激光光束照射单元之间,其中,第一光束切割件和第二光束切割件进行移动以增大或减小衬底的遮蔽区域,从而对照射至衬底的在非晶硅层的外部部分处的部分的线激光光束的至少一部分进行遮蔽,遮蔽区域是衬底的与第一光束切割件或第二光束切割件以及线激光光束重叠的区域。
本申请要求于2015年10月21日提交的10-2015-0146660号韩国专利申请的优先权以及由该韩国专利申请产生的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及激光退火设备以及通过使用该激光退火设备制造显示设备的方法,且更具体地,涉及能够在制造过程中降低缺陷率的激光退火设备以及通过使用该激光退火设备制造显示设备的方法。
背景技术
通常,在有机发光显示设备或液晶显示设备中,使用电连接至每个像素的像素电极的薄膜晶体管等来控制是否从每个像素发光或者控制每个像素的发光量。薄膜晶体管包括半导体层,并且半导体层包括多晶硅层。因此,在制造显示设备时,非晶硅层被转变成多晶硅层。
在如上的结晶过程中,广泛地使用激光退火方法,其中,激光光束照射至非晶硅层上以将非晶硅层转变成多晶硅层。照射至非晶硅层的激光是在一个方向上延伸的线激光光束,且因此,在移动其上形成有非晶硅层的衬底时,线激光光束可多次照射至非晶硅层上,从而将具有大面积的非晶硅层转变成多晶硅层。
发明内容
然而,在制造显示设备的常规方法中,在通过使用激光退火设备经由如上所述的结晶过程形成显示设备的多晶硅层的情况下,条状斑点可产生于由显示设备显示的图像上。
一个或多个示例性实施方式包括能够在制造过程中降低缺陷率的激光退火设备,以及通过使用该激光退火设备制造显示设备的方法。
根据示例性实施方式,激光退火设备包括:衬底支承单元,对衬底进行支承;激光光束照射单元,将在第一方向上延伸的线激光光束照射至设置在衬底上的非晶硅层,衬底位于衬底支承单元上;衬底移动单元,使衬底支承单元在与第一方向交叉的第二方向上移动;以及第一光束切割件和第二光束切割件,布置在衬底支承单元和激光光束照射单元之间且相互间隔开,其中,第一光束切割件和第二光束切割件进行移动以增大或减小衬底的遮蔽区域,以对照射至衬底的在非晶硅层之外的部分的线激光光束的至少一部分进行遮蔽,遮蔽区域是衬底的与第一光束切割件和第二光束切割件中的至少一个以及线激光光束重叠的区域。
在示例性实施方式中,第一光束切割件和第二光束切割件可在第一方向或与第一方向相反的方向上移动,以增大或减小衬底的遮蔽区域。
在示例性实施方式中,随着衬底移动单元使衬底支承单元在第二方向上移动,遮蔽区域的与第一光束切割件和线激光光束重叠的部分可再次减小或增大。
在示例性实施方式中,随着衬底移动单元使衬底支承单元在第二方向上移动,遮蔽区域的与第二光束切割件和线激光光束重叠的部分可减小,并且然后再次增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造