[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，在衬底上，每个栅极结构在第二方向上纵长地延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，以使得栅极结构中的每一个在与第二方向交叉的第一方向上具有第一相对侧表面并且在第二方向上具有第二相对侧表面；

栅极间隔件结构，包括：

栅极结构中的每一个的第一相对侧表面上的第一部分，以及

栅极结构中的每一个的第二相对侧表面上的第二部分；以及

源极/漏极层，其位于衬底的邻近栅极间隔件结构的第一部分的一部分上，

其中，在栅极结构中的每一个的第二相对侧表面中的每一个中具有对应的压痕，压痕在栅极结构的顶表面敞开，以使得将压痕中的每一个限定在对应的一个栅极结构的顶表面与对应的第二相对侧表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极间隔件结构包括按次序堆叠在栅极结构中的每一个的侧表面上的第一栅极间隔件和第二栅极间隔件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一栅极间隔件和第二栅极间隔件具有实质上相同的材料，以彼此合并。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，第一栅极间隔件和第二栅极间隔件包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，源极/漏极层是占据衬底中的凹槽的外延层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极结构包括：

衬底上的栅极绝缘图案；

栅极绝缘图案上的功函数控制图案；以及

功函数控制图案上的栅电极，

其中，功函数控制图案覆盖栅电极的底表面和侧表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一方向和第二方向实质上彼此垂直。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于衬底的上表面的隔离层，并且

其中，所述半导体器件具有向上突出超过隔离层的有源鳍，有源鳍中的每一个在第一方向上纵长地延伸，并且各个有源鳍在第二方向上彼此间隔开，并且

栅极结构中的每一个在有源鳍和隔离图案上在第二方向上纵长地延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极结构包括布置在半导体器件的第一区中的衬底上的第一栅极结构以及布置在半导体器件的第二区中的衬底上的第二栅极结构，

其中，栅极间隔件结构包括第一栅极间隔件结构和第二栅极间隔件结构，

第一栅极间隔件结构包括位于第一栅极结构中的每一个的第一相对侧表面上的第一部分和位于第一栅极结构中的每一个的第二相对侧表面上的第二部分，并且

第二栅极间隔件结构包括位于第二栅极结构中的每一个的第一相对侧表面上的第一部分和位于第二栅极结构中的每一个的第二相对侧表面上的第二部分，

其中，源极/漏极层包括：第一源极/漏极层，其位于衬底的邻近第一栅极间隔件结构的第一部分的一部分上；以及第二源极/漏极层，其位于衬底的邻近第二栅极间隔件结构的第一部分的一部分上，并且

其中，在第一栅极结构中的每一个的第二相对侧表面中的每一个中具有对应的第一压痕，并且在第二栅极结构中的每一个的第二相对侧表面中的每一个中具有对应的第二压痕。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第一区和第二区分别是半导体器件的PMOS区和NMOS区。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第一源极/漏极层的顶表面位于比第二源极/漏极层的水平高度更低的水平高度处。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，第一源极/漏极层包括掺有p型杂质的单晶硅-锗，并且第二源极/漏极层包括掺有n型杂质的单晶硅或者掺有n型杂质的单晶碳化硅。