[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板；

多个导电层及多个绝缘层形成于该基板上，其中该些导电层与该些绝缘层交替堆叠于该基板上；

一结构，包括一组第一存储器结构群及一组第二存储器结构群形成于该基板上并穿过该些导电层及该些绝缘层，各该第一存储器结构群包括多个第一存储器结构，各该第一存储器结构具有一第一剖面形状，各该第二存储器结构群包括多个第二存储器结构，各该第二存储器结构具有一第二剖面形状，该第一剖面形状及该第二剖面形状互补；以及

多个隔离沟槽，形成于该基板上，各该隔离沟槽设置于一该第一存储器结构群及一该第二存储器结构群之间，使得相邻的该些隔离沟槽以沿着该相邻的该些隔离沟槽的一轴向的一间隙分隔；

其中各该第一存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第一存储器结构群各自与一该第二存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称，且其中各该第二存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第二存储器结构群各自与一该第一存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该些导电层包括以一金属导体填入的多个取代栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中各该第一存储器结构及各该第二存储器结构各包括：

一存储器结构层，包括：

一阻挡层，形成于该些导体层上；

一记忆储存层，形成于该阻挡层上；及

一隧穿层，形成于该记忆储存层上；以及

一通道层，形成于该存储器结构层上，其中该通道层为一多晶硅层。

4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成多个导电层及多个绝缘层，其中该些导电层与该些绝缘层交替堆叠于该基板上；

形成一结构，包括形成于该基板上并穿过该些导电层及该些绝缘层的一组第一存储器结构群及一组第二存储器结构群，各该第一存储器结构群包括多个第一存储器结构，各该第一存储器结构具有一第一剖面形状，各该第二存储器结构群包括多个第二存储器结构，各该第二存储器结构具有一第二剖面形状，该第一剖面形状及该第二剖面形状互补；以及

于该基板上形成多个隔离沟槽，各该隔离沟槽设置于一该第一存储器结构群及一该第二存储器结构群之间，使得相邻的该些隔离沟槽以沿着该相邻的该些隔离沟槽的一轴向的一间隙分隔；

其中各该第一存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第一存储器结构群各自与一该第二存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称，且其中各该第二存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第二存储器结构群各自与一该第一存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

于该基板上形成平行于该些隔离沟槽延伸的多个共同源极沟槽；以及

刻蚀该些导电层以形成一空间，并以一金属导体填入该空间。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中形成该些第一存储器结构、该些第二存储器结构及该些隔离沟槽的步骤包括：

形成具有一椭圆形剖面的一凹槽，该凹槽贯穿该些导电层及该些绝缘层并深至该基板上；

于该凹槽中形成一存储器结构材料层；

于该存储器结构材料层之上形成一通道材料层；

于该通道材料层上形成一氧化物材料层填充该凹槽；

移除部分导电层、部分绝缘层、部分存储器结构材料层、部分通道材料层及部分氧化物材料层以形成一沟槽空间；以及

以一绝缘材料填充该沟槽空间来形成该隔离沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中形成该沟槽空间的步骤包括：

刻蚀以移除该部分导电层、该部分绝缘层、该部分存储器结构材料层、该部分通道材料层及该部分氧化物材料层，使得该部分存储器结构材料层、该部分通道材料层及该部分氧化物材料层是移除以暴露该基板，该部分导电层及该部分绝缘层是移除以暴露该绝缘层的一最底层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成多个外延结构，各该外延结构垂直形成于一该隔离沟槽及该基板之间，使对应的该第一存储器结构及对应的该第二存储器结构经由所述各该外延结构电性连接至该基板。