[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610880643.9 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106611783B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑元根;李厚容;全宅洙;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底；
第一沟槽和第二沟槽，在基底上；
衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面，衬里图案的下表面比基底的上表面高；
逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；
第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；
第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；
第一填充金属，在第一阻挡金属上；
第二填充金属，在第二阻挡金属上，其中：
第二沟槽中的逸出功金属具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分具有比第一宽度大的第二宽度，第二部分在第二沟槽的高度方向上将第二沟槽中的衬里图案与第二阻挡金属分开，使得衬里图案在第二沟槽的高度方向上完全在第二阻挡金属下方，并且
第二阻挡金属在第二沟槽的高度方向上将第二填充金属与第二沟槽中的逸出功金属分开，使得逸出功金属在高度方向上完全在第二填充金属下方。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一阻挡金属内的第一凹陷，其中，第一填充金属填充第一凹陷。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第二阻挡金属内的第二凹陷和填充第二凹陷的第二填充金属。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一凹陷的宽度比第二凹陷的宽度宽。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一凹陷的深度比第二凹陷的深度大。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
第一覆盖图案，在第一阻挡金属上，并填充第一沟槽；以及
第二覆盖图案，在第二阻挡金属上，并填充第二沟槽。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案下面的高k介电膜。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在第一沟槽中，高k介电膜接触衬里图案和第一阻挡金属。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，高k介电膜接触逸出功金属。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在第一沟槽中，高k介电膜不接触第一填充金属。
11.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在衬里图案与高k介电膜之间的稀土金属膜。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，稀土金属膜包括LaO、Y2O3和LaSiO中的一种或更多种。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，衬里图案包括下衬里图案和在下衬里图案上的上衬里图案。
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