[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。

2015年10月21日在韩国知识产权局提交的名称为“半导体装置及其制造方法”的第10-2015-0146552号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

MOS晶体管的特征尺寸的减小已导致栅极长度和沟道长度的减小。期望增大栅极和沟道之间的电容，并提高MOS晶体管的操作特性。

氧化硅膜被广泛用于栅极绝缘膜，但是随着氧化硅膜厚度的减小，在电性质方面会有物理限制。因此，具有高介电常数的高k介电膜可以代替氧化硅膜。高k介电膜可以减少栅电极与沟道区之间的漏电流，同时保持薄的等效氧化物膜厚度。

此外，用作栅极材料的多晶硅具有比许多金属大的电阻。因此，金属栅电极可以代替多晶硅栅电极。

发明内容

实施例涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。

实施例还涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；阻挡金属，在第一沟槽和第二沟槽中并在逸出功金属上；填充金属，在阻挡金属上，其中，第一沟槽中的填充金属的体积比第二沟槽中的填充金属的体积大。

实施例还涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一栅极和第二栅极。第一栅极可包括U形的第一衬里图案、在第一衬里图案上的第一逸出功金属、在第一逸出功金属上并具有比第一衬里图案的上表面高的下表面的第一阻挡金属和在第一阻挡金属上的第一填充金属。第二栅极可包括U形的第二衬里图案、在第二衬里图案上的第二逸出功金属和在第二逸出功金属上并具有比第二衬里图案的上表面高的下表面的第二阻挡金属。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，其中：

图1示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图2示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置的阈值电压而提供的图示；

图3示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图4示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图5示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图6示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图7示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图8示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的剖视图；

图9示出根据一些示例实施例的为了解释半导体装置而提供的图示；