[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
申请号: | 201610884100.4 | 申请日: | 2016-10-10 |
公开(公告)号: | CN107017231A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 吴伟成;连瑞宗;王羽榛;朱芳兰;林宏达;张谷宁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域,更具体地涉及集成芯片及其形成方法。
背景技术
现代集成芯片包括在半导体衬底(例如,硅衬底)上形成的成百万或数十亿的半导体器件。在封装半导体衬底之前,测试衬底上的半导体器件的功能缺陷。例如,晶圆验收测试(WAT)是电测试,其中,晶圆探针器发送电信号测试图案至半导体器件。电信号测试图案检查半导体器件的功能且识别不能符合计规范的器件。
发明内容
本发明的实施例提供了一种集成芯片,包括:半导体衬底;测试线字母,布置在所述半导体衬底上方,其中,所述测试线字母包括从所述半导体衬底向外突出的字母数字字符形状的正型突出物;以及一个或多个伪结构,布置在所述半导体衬底上方且靠近所述测试线字母的边界。
本发明的实施例还提供了一种集成芯片,包括:测试线字母区域,包括:多个测试线字母,包括从半导体衬底向外突出的字母数字字符形状的正型突出物;和多个伪图案,横向布置在所述多个测试线字母之间;逻辑区域,包括一个或多个晶体管器件;以及嵌入式闪存区域。
本发明的实施例还提供了一种形成集成芯片的方法,包括:在半导体衬底上方形成多晶硅层;蚀刻所述多晶硅层以在测试线字母区域内形成测试线字母,其中,所述测试线字母包括从所述半导体衬底向外突出的字母数字字符形状的正型突出物;以及蚀刻所述多晶硅层以形成一个或多个伪结构,所述一个或多个伪结构通过选择的间隙与所述测试线字母的边界横向分隔开。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是,根据工业中的标准实践,对各种部件没有按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
图1A至图1C示出了包括具有测试线字母和伪图案的测试线识别区域的集成芯片的一些实施例。
图2示出了可以用于集成芯片的一些实施例的示例性伪图案。
图3示出了具有带有测试线字母的嵌入式系统的集成芯片的一些附加的实施例的框图。
图4示出了具有测试线字母和伪图案的集成芯片的一些附加实施例的截面图。
图5示出了具有带有一个或多个测试线字母的测试线字母区域、嵌入式闪速存储器区域、以及逻辑区域的集成芯片的一些附加的实施例的截面图。
图6至图16示出了显示形成用于具有嵌入式闪速存储器的集成芯片的测试线字母的方法的截面图的一些实施例。
图17示出了形成测试线字母和测试线字母附近的伪图案的方法的一些实施例的流程图。
图18示出了形成用于具有嵌入式闪速存储器的集成芯片的测试线字母的方法的一些附加实施例的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语,以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
集成芯片通常包括配置为从晶圆探针器接收电测试信号且向集成芯片的不同部分提供电测试限号以测试其功能的导电测试线。例如,晶圆探针器的探针可以物理地接触测试线以向测试线提供电测试信号。测试线向集成芯片上的器件提供电测试信号,从而可以在中间制造阶段的器件上进行测试。这允许制造工艺可以被精确地表征,从而问题可以被快速地识别和解决。这还允许在制造工艺中较早地丢弃有缺陷的晶圆以帮助改善制造产量。
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