[发明专利]形成图案化结构的方法

权利要求书

1.一种形成图案化结构的方法，包括：

在一基底上依序形成一介电层与一材料层；

在该材料层上形成一硬掩模层，其中该硬掩模层的材料与该介电层的材料相同；

在该硬掩模层上形成一第一图案化掩模，并利用该第一图案化掩模进行一第一蚀刻制作工艺，以于该硬掩模层中形成至少一第一开口，其中该第一开口至少部分暴露出该材料层；

在该第一蚀刻制作工艺之后，将该第一图案化掩模移除，并于该硬掩模层上形成一第二图案化掩模，且利用该第二图案化掩模进行一第二蚀刻制作工艺，以于该硬掩模层中形成至少一第二开口，其中该第二开口至少部分暴露出该材料层，且该第一开口与该第二开口部分重叠；

以具有该第一开口与该第二开口的该硬掩模层为掩模，对该材料层进行一第三蚀刻制作工艺，用以移除该第一开口与该第二开口所暴露的该材料层；以及

在该第三蚀刻制作工艺之后，对该介电层以及该硬掩模层进行一第四蚀刻制作工艺，用以将该硬掩模层移除并于该介电层中形成一沟槽,

所述方法还包括于该材料层与该介电层之间形成一阻障层，其中于该第三蚀刻制作工艺之后以及该第四蚀刻制作工艺之前，该介电层被该阻障层所覆盖，其中所述阻障层的厚度小于所述材料层的厚度。

2.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中于该第三蚀刻制作工艺之后，部分的该阻障层暴露于该材料层之外，且被该材料层暴露的该阻障层于该第四蚀刻制作工艺中被移除。

3.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中于该第二蚀刻制作工艺之后以及该第三蚀刻制作工艺之前，该阻障层完全被该材料层覆盖。

4.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中于该第三蚀刻制作工艺之后以及该第四蚀刻制作工艺之前，该硬掩模层覆盖部分的该材料层。

5.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中该第一开口所对应的部分的该基底定义为第一区，该第二开口所对应的部分的该基底定义为第二区，该第一区与该第二区重叠处定义为第三区，该沟槽形成于该第一区、该第二区以及该第三区，且位于该第三区的该沟槽的深度等于位于该第三区之外的该第一区或该第二区的该沟槽的深度。

6.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中该第一开口沿一第一方向延伸，该第二开口沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向正交。

7.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中该材料层被该第三蚀刻制作工艺与该第四蚀刻制作工艺图案化而成为一图案化材料层，而该图案化材料层包括一存储器装置的存储节点垫(storage node pad)结构。

8.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中该硬掩模层与该介电层的材料包括氮化硅。

9.如权利要求1所述的形成图案化结构的方法，其中该沟槽未贯穿该介电层。