[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于所述衬底上的伪栅介质层以及位于所述伪栅介质层上的伪栅极；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁，并暴露出所述伪栅极顶部表面；

去除部分厚度的伪栅极，在所述介质层中形成开口和伪栅极层，所述开口底部暴露出所述伪栅极层表面；

在所述开口中形成保护层；

形成所述保护层之后，对所述介质层进行离子注入；

离子注入之后，去除所述保护层；

去除所述保护层之后，去除所述伪栅极层和所述伪栅介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层为有机抗反射涂层或有机介质层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述伪栅极的工艺包括：干法刻蚀。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：在所述开口中和所述介质层上形成初始保护层；去除所述介质层上的初始保护层，形成保护层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始保护层的工艺包括：旋涂工艺或化学气相沉积工艺。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述介质层上的初始保护层的工艺包括：干法刻蚀工艺或化学机械研磨。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的伪栅极之后，去除的伪栅极的厚度为200埃～600埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极层的厚度为800埃～1500埃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的工艺包括：干法刻蚀或湿法刻蚀。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅极层和所述伪栅介质层的工艺包括：湿法刻蚀或干法刻蚀。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入注入的离子为硅离子、氮离子或碳离子。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：在所述衬底上形成初始介质层，所述初始介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁和顶部表面；对所述初始介质层进行平坦化处理，暴露出所述伪栅极顶部表面。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理的工艺包括化学机械研磨。