[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201610886029.3 | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN107017270B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 郑荣友 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
第一基板,所述第一基板包括第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面是所述第一基板的相反的表面,所述第一基板包括有源像素传感器区域、围绕所述有源像素传感器区域的光学黑传感器区域、和在所述光学黑传感器区域的一侧的周边电路区域,所述有源像素传感器区域包括光电转换区域;
微透镜,在所述第一表面上;
多层互连结构,在所述第二表面上;以及
散热层,在所述第一表面和/或所述第二表面上,所述散热层垂直地交叠所述周边电路区域的至少一部分和所述光学黑传感器区域两者,所述散热层包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳层中的至少一个。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述散热层在所述第一基板的所述第一表面和所述微透镜之间。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述散热层在所述第二表面上,使得所述多层互连结构在所述散热层和所述第二表面之间。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述散热层垂直地交叠所述有源像素传感器区域。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述散热层在所述有源像素传感器区域的全部上。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中
所述散热层在所述多层互连结构上,并且
所述图像传感器还包括热辐射构件,所述热辐射构件连接到所述散热层的至少一部分。
7.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第二基板,所述第二基板通过连接通路电联接到所述有源像素传感器区域,所述连接通路延伸穿过所述第一基板,所述第二基板具有顶表面,所述第二基板的所述顶表面面对所述第一基板的所述第二表面,所述第二基板包括电路区域,
其中所述散热层在所述第一基板的所述第二表面和所述第二基板的所述顶表面之间。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中
所述散热层与所述多层互连结构接触,并且
所述散热层在所述电路区域的全部上。
9.一种图像传感器,包括:
第一基板,所述第一基板包括第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面是所述第一基板的相反的表面,所述第一基板包括有源像素传感器区域、围绕所述有源像素传感器区域的光学黑传感器区域、和在所述光学黑传感器区域的一侧的周边电路区域,所述有源像素传感器区域包括光电转换区域,所述周边电路区域包括电路区域;
微透镜,在所述第一表面上;
多层互连结构,在所述第二表面上;以及
散热层,在所述第一表面和/或所述第二表面上,其中所述散热层垂直地交叠所述有源像素传感器区域的整个区域、所述光学黑传感器区域和所述电路区域。
10.如权利要求9所述的图像传感器,还包括:
第二基板,所述第二基板通过连接通路电联接到所述第一基板的所述有源像素传感器区域,所述连接通路延伸穿过所述第一基板,所述第二基板具有顶表面,所述顶表面面对所述第一基板的所述第二表面,所述第二基板包括电路区域,
其中所述散热层在所述第一基板的所述第二表面和所述第二基板的所述顶表面之间。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述散热层与所述多层互连结构接触并在所述电路区域的全部上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的