[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201610886029.3 | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN107017270B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 郑荣友 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
本公开提供了一种图像传感器。该图像传感器包括基板,基板进一步包括传感器阵列和在基板的表面上的散热层。散热层可以包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳(DLC)层中的一个或多个。散热层能够使热在传感器阵列的至少一部分基本上均匀地分布。这样的基本上均匀的热分布能够在传感器阵列的该部分上使暗电流基本上均匀,从而在传感器阵列的该部分中减少暗阴影的概率。传感器阵列的该部分可以包括有源像素传感器区域。传感器阵列的该部分可以包括光学黑传感器区域。
技术领域
本发明构思涉及图像传感器及其制造方法,更具体地,涉及背照式(backside-illumination type)图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器可以将光学图像信号转变成电信号。图像传感器可以包括有源像素传感器区域和电路区域。有源像素传感器区域可以接收入射光并将入射光转变成电信号。电路区域可以将期望的(或可选地,预定的)信号提供到有源像素传感器区域的每个单元像素或者控制每个单元像素的输出信号。当热在电路区域的运行期间产生时,暗电流可能在有源像素传感器区域的接近电路区域的部分中产生,并且图像传感器的分辨率会降低。
发明内容
本发明构思提供一种图像传感器,暗电流可以通过该图像传感器减小并均匀,在整个有源像素传感器区域中可以获得优良的分辨率。
本发明构思还提供制造该图像传感器的方法。
根据本发明构思的某些示例实施方式,一种图像传感器可以包括第一基板、微透镜、多层互连结构和散热层。第一基板可以包括第一表面和第二表面。第一表面和第二表面可以是第一基板的相反的表面。第一基板还可以包括有源像素传感器区域。有源像素传感器区域可以包括光电转换区域。微透镜可以在第一表面上。多层互连结构可以在第二表面上。散热层可以在第一表面和/或第二表面上。散热层可以包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳(DLC)层中的至少一个。
根据本发明构思的某些示例实施方式,一种图像传感器可以包括第一基板、微透镜、多层互连结构和散热层。第一基板可以包括第一表面和第二表面。第一表面和第二表面可以是第一基板的相反的表面。第一基板可以包括有源像素传感器区域。有源像素传感器区域可以包括光电转换区域。微透镜可以在第一表面上。多层互连结构可以在第二表面上。散热层可以在第一表面和/或第二表面上。散热层可以垂直地交叠有源像素传感器区域的整个区域。
根据本发明构思的某些示例实施方式,一种制造图像传感器的方法可以包括:在第一基板上形成有源像素传感器区域;在有源像素传感器区域上形成散热层;以及在散热层上形成微透镜。有源像素传感器区域可以包括光电转换区域。散热层可以包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳(DLC)层中的至少一个。
根据本发明构思的某些示例实施方式,一种图像传感器可以包括基板和在基板的表面上的散热层。基板可以包括传感器阵列和多个电路。传感器阵列可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括光电转换区域。每个单元像素可以配置为产生电输出信号。多个电路可以配置为产生驱动信号以驱动多个单元像素中的一个或多个单元像素并接收由该多个单元像素中的一个或多个单元像素产生的电输出信号。散热层可以配置为跨过多个单元像素的至少一部分基本上均匀地分布由多个电路中的至少一个电路产生的热。
附图说明
从本发明构思的非限制性实施方式的更具体的描述,本发明构思的以上和其它的特征将变得明显,如附图所示,其中相同的附图标记在不同的附图中始终表示相同的部件。附图不必按比例,而是重点在于示出本发明构思的原理。在附图中:
图1是根据某些示例实施方式的图像传感器的示意性平面图;
图2是根据某些示例实施方式的图像传感器的某些元件的方框图;
图3是图1的传感器阵列区域中的传感器阵列中包括的单元像素的等效电路图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的