[发明专利]光感测装置

说明书

本发明公开一种光感测装置。该光感测装置的特征在于：包括一基板、一第一金属层、一第一介电层、一主动层、一光电二极管以及一第二金属层。该第一金属层位于该基板上，该第一金属层包含一栅极线以及一栅极，该栅极与该栅极线电连接。该第一介电层位于该第一金属层上。该主动层与该栅极绝缘且与该栅极至少有部分重叠。该光电二极管位于该基板上。该第二金属层位于该第一介电层上，该第二金属层包含一数据线和一参考电位线，该参考电位线位于该该光电二极管的上方。

技术领域

本发明涉及光感测装置的技术，特别是涉及结合薄膜晶体管以及光电二极管的光感测装置。

背景技术

目前光感测装置的制作上，通常使用非晶硅(Amorphous silicon，a-Si)晶体管元件结合光电二极管。然而，在非晶硅的制作工艺中，分子结构在管芯(Grain)中的排列是没有顺序及方向性的，因此电子移动的速率较慢，而造成反应速度较慢。

相较于非晶硅制作工艺技术，低温多晶硅(LTPS)的分子结构整齐而有方向性，使得电子传导速度相对提高。此外，相较于非晶硅制作工艺的面板，低温多晶硅可提升开口率(aperture ratio)，因此在相同尺寸下可提供更高的集成度。

发明内容

根据本发明的一实施例提供了一种光感测装置。该光感测装置，其特征在于：包括一基板、一第一金属层、一第一介电层、一主动层、一光电二极管以及一第二金属层。该第一金属层位于该基板上，该第一金属层包含一栅极线以及一栅极，该栅极与该栅极线电连接。该第一介电层位于该第一金属层上。该主动层与该栅极绝缘且与该栅极至少有部分重叠。该光电二极管位于该基板上。该第二金属层位于该第一介电层上，该第二金属层包含一数据线和一参考电位线，该参考电位线位于该光电二极管的上方。

关于本发明其他附加的特征与优点，此领域的熟悉技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可根据本案实施方法中所揭露的执行联系程序的装置，做些许的更动与润饰而得到。

附图说明

图1为本发明的一实施例所述的光感测器阵列基板100的示意图；

图2A为本发明的一实施例所述的一像素200的示意图；

图2B为本发明的一实施例所述的像素200的剖视图；

图3A为本发明的一实施例所述的一像素300的示意图。

图3B为本发明的一实施例所述的像素300的剖视图。

符号说明

100光感测器阵列基板

120-1、120-2…120-9、200、300像素

130栅极驱动电路

140数据驱动电路

210、310基板

220、320遮光层

230、330缓冲层

240、340主动层

241a、242a、341a、342a源极

241b、242b、341b、342b漏极

245、246、345、346通道

251、351栅极绝缘层

252a、252b、352a、352b栅极

261、361第一介电层

262、362第二介电层

270、370铟锡氧化物层