[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610890269.0 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106887437B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；以及
第四晶体管，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第一布线，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线以及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第三布线，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第四布线，
其中，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，
其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第四布线，
其中，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，
其中，所述第一晶体管的所述栅极电连接到所述第三晶体管的栅极，
其中，所述第三布线被供应时钟信号，以及
其中，所述第二布线输出信号。
2.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第四晶体管；以及
第五晶体管，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第一布线，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线以及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第三布线，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第四布线，
其中，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，
其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第四布线，
其中，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，
其中，所述第一晶体管的所述栅极电连接到所述第三晶体管的栅极，
其中，所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二晶体管的所述栅极，
其中，所述第五晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第五布线，
其中，所述第三布线被供应时钟信号，以及
其中，所述第二布线输出信号。
3.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；以及
第四晶体管，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第一布线，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线以及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第三布线，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第四布线，
其中，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，
其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第四布线，
其中，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，
其中，所述第一晶体管的所述栅极电连接到所述第三晶体管的栅极，
其中，所述第三布线被供应时钟信号，
其中，所述第二布线输出信号，以及
其中，所述第一晶体管的沟道宽度大于所述第三晶体管的沟道宽度。
4.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第四晶体管；以及
第五晶体管，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第一布线，
其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线以及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，
其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第三布线，
其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第四布线，
其中，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，
其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第四布线，
其中，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，
其中，所述第一晶体管的所述栅极电连接到所述第三晶体管的栅极，
其中，所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第二晶体管的所述栅极，
其中，所述第五晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第五布线，
其中，所述第三布线被供应时钟信号，以及
其中，所述第二布线输出信号，以及
其中，所述第一晶体管的沟道宽度大于所述第三晶体管的沟道宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
