[发明专利]形成导电图案的方法以及制造包括其的显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201610892222.8 申请日: 2016-10-13
公开(公告)号: CN107017357B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 金兑眩;朴常镐;李承珉;李政奎 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 形成 导电 图案 方法 以及 制造 包括 显示装置
【说明书】:

本发明提供了一种形成导电图案的方法以及制造包括其的显示装置的方法。在基底上形成导电材料层。在导电材料层上形成导电图案。在导电材料层上形成光敏有机材料层。通过半色调掩模照射光敏有机材料层。半色调掩模包括具有与导电图案的边缘对应的边界的第一掩模区域、第二掩模区域以及与第一掩模区域和第二掩模区域相邻的第三掩模区域。通过去除光敏有机材料层来形成包括与第一掩模区域对应的第一区域和与第三掩模区域对应的第二区域的第一图案。使用第一图案作为硬掩模来蚀刻导电材料层,以形成导电图案。对第一图案回流以形成覆盖导电图案的侧表面的第二图案。

本申请要求于2016年1月27日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0010172号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

描述的技术涉及一种导电图案。更具体地,描述的技术涉及一种形成导电图案的方法和一种制造包括该导电图案的有机发光显示装置的方法。

背景技术

有机发光显示装置包括具有空穴注入电极、电子注入电极以及设置在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层的有机发光二极管(OLED)。另外,有机发光显示装置是自发射的。在有机发射层中,通过空穴注入电极注入的空穴和通过电子注入电极注入的电子彼此结合,以产生原子的激子,原子的激子从激发态落回到基态,从而产生光。

有机发光显示装置不需要光源,因此用低电压驱动。有机发光显示装置还是质轻且薄的。另外,因为有机发光显示装置可以具有宽视角、高对比度和快速响应时间,所以有机发光显示装置应用到个人便携式电子装置,最近,应用到电视机。

发明内容

本发明的实施例提供了一种可以通过使用单个掩模形成可被绝缘层保护的导电图案的方法。本发明的实施例还包括一种可能够以低成本实现高分辨率的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。

根据本发明的示例性实施例,提供了一种形成导电图案的方法。根据所述方法,在基底上形成导电材料层。在导电材料层上形成导电图案。在导电材料层上形成光敏有机材料层。通过半色调掩模照射光敏有机材料层。半色调掩模包括第一掩模区域、第二掩模区域和第三掩模区域,第一掩模区域具有与导电图案的边缘对应的边界,第三掩模区域设置在第一掩模区域和第二掩模区域之间。通过去除光敏有机材料层来形成包括第一区域和第二区域的第一图案,第一区域与第一掩模区域对应并具有第一厚度,第二区域与第三掩模区域对应并具有比第一厚度小的第二厚度。使用第一图案作为硬掩模来蚀刻导电材料层,并形成与第一图案相邻布置的导电图案。对第一图案回流以形成覆盖导电图案的侧表面的第二图案。

第三掩模区域可以沿第一掩模区域的边界设置。第三掩模区域可以围绕第一掩模区域。

蚀刻导电材料层的步骤可以包括暴露第一图案的第二区域的下表面的一部分。

导电图案的边缘可以相对于第一图案的边缘缩进。

去除光敏有机材料层的步骤可以包括完全地去除光敏有机材料层的与第二掩模区域对应的第一部分。去除光敏有机材料层的步骤也可以包括部分地去除光敏有机材料层的与第三掩模区域对应的第二部分。

对第一图案回流的步骤可以包括使第一图案的一部分沿导电图案的侧表面流动以覆盖导电图案的侧表面。

导电图案可以具有暴露的区域。导电图案的暴露的区域的上表面可以不覆盖有第二图案。半色调掩模还可以包括在第一掩模区域内与导电图案的暴露的区域对应的第四掩模区域。第一图案还可以具有第三区域,第三区域具有比第一厚度小的第三厚度并且在第一区域内与第四掩模区域对应。

第三区域的平均厚度可以比第二区域的平均厚度小。

可以对第一图案灰化,使得可以暴露导电图案的暴露的区域的上表面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610892222.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top