[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片中，通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有作为器件的图像传感器，沿着对图像传感器进行划分的多条分割预定线对晶片进行分割。

背景技术

如本领域技术人员所熟知的那样，在半导体器件制造工艺中，通过在硅等基板的正面上层叠有绝缘膜和功能膜的功能层来形成半导体晶片，其中，在该半导体晶片中呈矩阵状形成有多个IC、LSI等器件。关于这样形成的半导体晶片，通过分割预定线来划分出上述器件，通过沿着该分割预定线进行分割而制造出各个半导体器件芯片。

近年来，为了提高IC、LSI等半导体芯片的处理能力而实用化了通过功能层来形成半导体器件的方式的半导体晶片，该功能层是在硅等基板的正面上层叠的由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜和作为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)。

通常，通过一种叫做划片机的切削装置来进行沿着这样的半导体晶片的分割预定线的分割。该切削装置具有：卡盘工作台，其对作为被加工物的半导体晶片进行保持；切削单元，其用于对保持在该卡盘工作台上的半导体晶片进行切削；以及移动单元，其使卡盘工作台与切削单元相对地移动。切削单元包含高速旋转的主轴和安装在该主轴上的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基台和安装在该基台的侧表面外周部的环状的切削刃构成，切削刃例如是通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定而形成的。

然而，由于上述的Low-k膜与晶片的材料不同，所以很难通过切削刀具同时进行切削。即，由于Low-k膜像云母那样非常地脆，所以当通过切削刀具沿着分割预定线进行切削时，存在Low-k膜发生剥离且该剥离一直到达器件的电路而对器件造成致命的损伤的问题。

为了解决上述问题，在下述专利文献1中公开了晶片的分割方法，沿着分割预定线对形成在晶片上的分割预定线的两侧照射激光光线，从而沿着分割预定线形成两条激光加工槽而将功能层断开(功能层断开工序)，将切削刀具定位在该两条激光加工槽的内侧之间而使切削刀具与晶片相对移动，由此，将晶片沿着分割预定线切断。

另外，当从晶片的正面侧沿着分割预定线照射激光光线时，由于碎屑会飞散，所以在实施功能层断开工序之前将由聚乙烯醇(PVA)等水溶性树脂构成的保护膜覆盖在晶片的正面上，防止飞散出的碎屑直接附着在器件上。

专利文献1：日本特开2005-64230号公报

然而，在形成于硅等基板的正面上的器件为CMOS或CCD等图像传感器的情况下，即使在晶片的正面上覆盖由PVA等水溶性树脂构成的保护膜，飞散出的较大的碎屑也会贯穿保护膜而对构成图像传感器的纤细的像素造成损伤，存在图像传感器的品质降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，即使是在基板的正面上形成有图像传感器的晶片，也能够不降低品质而将晶片分割成各个图像传感器。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片中，通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有图像传感器，该晶片的加工方法沿着对该图像传感器进行划分的多条分割预定线对该晶片进行分割，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：

保护部件粘接工序，将保护部件粘接在晶片的正面上；

分割槽形成工序，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域而残留出未到达功能层的基板的一部分而形成分割槽；以及

晶片分割工序，从实施了该分割槽形成工序的基板的背面侧沿着该分割槽的底部照射激光光线，将残留的基板的一部分和功能层切断。

优选晶片的加工方法还具有如下的背面磨削工序：在实施了上述保护部件粘接工序之后，并在实施上述分割槽形成工序之前对构成晶片的基板的背面进行磨削而形成为规定的厚度。

优选晶片的加工方法还具有如下的晶片支承工序：将实施了上述晶片分割工序的晶片的背面粘接在粘合带的正面上并且将粘接在晶片的正面上的保护部件剥离，其中，该粘合带的外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部。

根据本发明的晶片的加工方法，在晶片分割工序中，由于从构成晶片的基板的背面侧沿着分割槽的底部照射激光光线，将所残留的基板的一部分和功能层切断，所以即使较大的碎屑飞散也不会落在形成于晶片的正面的图像传感器上，不会对构成图像传感器的纤细的像素造成损伤，解决了图像传感器的品质降低的问题。