[发明专利]蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅极配线的步骤；

b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；

d)在所述半导体层上形成源极和漏极电极的步骤；及

e)形成与所述漏极电极连接的像素电极的步骤，

所述a)步骤包括在基板上形成铜系金属膜并以铜系金属膜用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，所述d)步骤包括在半导体层上形成铜系金属膜并以铜系金属膜用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源极和漏极电极的步骤，

所述铜系金属膜用蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢15至26重量％、(B)氟化合物0.01至3重量％、(C)5-甲基-1H-四唑0.05至3重量％、(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5至5重量％、(E)选自三磷酸钠和焦硫酸盐中的一种以上盐化合物0.1至5重量％、(F)多元醇型表面活性剂1至5重量％、和(G)余量的水，

所述焦硫酸盐是选自焦硫酸钾和焦硫酸钠中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示装置用阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。

3.一种显示装置用阵列基板，由权利要求1或2所述的制造方法制造。

4.一种铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，包含：

(A)过氧化氢15至26重量％、

(B)氟化合物0.01至3重量％、

(C)5-甲基-1H-四唑0.05至3重量％、

(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5至5重量％、

(E)选自三磷酸钠和焦硫酸盐中的一种以上盐化合物0.1至5重量％、

(F)多元醇型表面活性剂1至5重量％、和

(G)余量的水，

所述焦硫酸盐是选自焦硫酸钾和焦硫酸钠中的一种以上。

5.根据权利要求4所述的铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜是铜膜或铜合金膜的单层膜；或者，包含选自所述铜膜及铜合金膜中的一种以上膜和选自钼膜、钼合金膜、钛膜及钛合金膜中的一种以上膜的多层膜。

6.根据权利要求4所述的铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化合物是选自氟化氢、氟化钠、氟化铵、氟硼酸铵、氟化氢铵、氟化钾、氟化氢钾、氟化铝和四氟硼酸中的一种以上。

7.根据权利要求4所述的铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物是选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸中的一种以上。

8.根据权利要求4所述的铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性剂是选自甘油、三乙二醇和聚乙二醇中的一种以上。

9.根据权利要求4所述的铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜的厚度为以上。