[发明专利]蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法

说明书

本发明涉及蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法，更详细而言，涉及以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、5‑甲基‑1H‑四唑、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、三磷酸钠和/或焦硫酸盐、多元醇型表面活性剂、和水的铜系金属膜用蚀刻液组合物，利用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板及其制造方法。

技术领域

本发明涉及显示装置用阵列基板的制造方法，更详细而言，涉及铜系金属膜用蚀刻液组合物和利用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板及其制造方法。

背景技术

半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂布、曝光及显影的在所选区域的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序的意思是，将光致抗蚀剂设为掩模，在所选区域留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。

以往，作为栅极和源极/漏极电极用配线材料，使用铝或其合金与其他金属层叠而成的金属膜。关于铝，虽然价格低廉且电阻低，但耐化学性不佳，在后续工序中会因突起(hillock)等不良而与其他导电层引发短路(short)现象或与氧化物层接触而形成绝缘层等，从而引发显示装置面板的运行不良。

考虑到这些方面，提出了铜膜与钼膜、铜膜与钼合金膜、铜合金膜与钼合金膜等铜系金属膜的多层膜作为栅极和源极/漏极电极用配线材料。然而，为了蚀刻这样的铜系金属膜的多层膜，存在需要利用用于蚀刻各金属膜的彼此不同的两种蚀刻液的缺点。

此外，以往的蚀刻液的蚀刻速度慢，会增加工艺时间(process time)，因此在应用于厚度为约以上的厚的金属膜时，存在产生蚀刻轮廓不良的问题。

不仅如此，以往随着被蚀刻液处理的膜的累积数量增多，蚀刻图案的倾斜角会发生变化，存在蚀刻直进性变差等蚀刻轮廓不良的问题，因而无法加长蚀刻液的使用周期。尤其在蚀刻厚膜的情况下，如果锥角(taper angle)大，则进行后续工序时存在发生台阶覆盖(step coverage)不良而降低工序精确度和效率的问题。此外，当蚀刻液中的金属离子的浓度增加时，发生由发热引起的爆炸的危险加大，因此需要对此的改善方案。

发明内容

所要解决的课题

本发明是为了解决上述以往问题而提出的，目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在蚀刻铜系金属膜时，蚀刻速度和蚀刻轮廓良好，即使蚀刻厚度以上的厚膜也会因随处理张数变化的侧蚀(side etch)和锥角变化量小而能够防止后续工序中的不良发生。

此外，目的在于，提供可通过防止由金属离子的浓度增加引起的发热、温度上升而确保稳定性的蚀刻液组合物。

此外，本发明的目的在于，提供使用上述蚀刻液组合物来制造显示装置用阵列基板的方法。

解决课题的方法

为了解决上述以往技术的问题，本发明提供一种铜系金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：

(A)过氧化氢15至26重量％、

(B)氟化合物0.01至3重量％、

(C)5-甲基-1H-四唑0.05至3重量％、

(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5至5重量％、

(E)选自三磷酸钠和焦硫酸盐中的一种以上盐化合物0.1至5重量％、

(F)多元醇型表面活性剂1至5重量％、和

(G)余量的水。

此外,本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：