[发明专利]EUV用防尘薄膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置，印刷基板，液晶面板等制造时作为防尘器使用的防尘薄膜组件，特别是涉及在用EUV(Extreme Ultra-Violet)光进行光刻时所用的EUV用防尘薄膜组件。

背景技术

在LSI，超LSI等的半导体制造或液晶面板等的制造中，要对半导体晶圆或液晶用原板进行光照射制作图，此时，使用的光掩模或中间掩模(以下，统称光掩模)会有灰尘附着，这会使尖端不变得模糊，还会使基底变得脏污等等，如此产生尺寸，品质，外观等受损的问题。

如此，这些作业通常在无尘室中进行，但是即使如此，也难以始终保持光掩模的清洁。因此，压在光掩模表面将作为除尘器的防尘薄膜组件贴附后再进行曝光。再该场合，异物不在光掩模的表面上直接附着，而是附着再防尘薄膜组件上，如此，在光刻时只要将焦点与光掩模的图案相合，防尘薄膜组件上的异物就与转印无关系了。

一般，防尘薄膜组件为，将光良好透过的硝酸纤维素，乙酸纤维素或氟树脂等构成的透明防尘膜，在涂布了防尘膜的良溶媒的由铝，不锈钢，聚乙烯等构成的防尘薄膜组件框架的上端面上，将所述良溶剂风干后接着(专利文献1参照)，或者用丙烯酸树脂以及环氧树脂等的接着剂进行接着(专利文献2，专利文献3，专利文献4参照)。接着，在防尘薄膜组件框架的下端面设置光掩模接着用的由聚丁烯树脂，聚乙酸乙烯基树脂，丙烯酸树脂，有机硅树脂等构成的粘着层，以及为保护粘着层的离型层(分离膜)。

如此，将这样的防尘薄膜组件安装在光掩模的表面，对介于光掩模半导体晶圆或液晶用原版上形成的光抗蚀材料膜进行曝光的场合，灰尘等的异物就在防尘薄膜组件的表面上附着，不在光掩模的表面直接附着，如此，在光掩模上形成的图案上将焦点对准，进行曝光用的光照射，灰尘等的异物的影响就可以避免。

但是，近年，半导体装置以及液晶面板，越来越高集成化，细微化。現在，将32nm程度的细微图案在光抗蚀材料膜上形成的技术也逐渐实用化。如果为32nm程度的图案，半导体晶圆或液晶用原版和投影透镜之间充满超纯水等的液体，使用ArF准分子激光，可以用将光抗蚀材料膜曝光的液浸曝光技术以及使用多重曝光等的以往的准分子激光使用的改良技术来对应。

但是，在下一代的半导体装置以及液晶面板上进一步细微化的10nm以下的图案形成就成为必须，为了形成这样的细微化的10nm以下的图案，仅将以往的使用准分子激光的曝光技术的改良来对应就不可能了。

由此，作为10nm以下的图案的形成方法，就只有使用以13.5nm为主波长的EUV光的EUV曝光了。使用该EUV曝光技术，在光抗蚀材料膜上形成10nm以下的细微的图案的场合，使用那样的光源，使用那样的光抗蚀材料，使用那样的防尘薄膜组件等的技术的课题的解决就变得必要了，这些技术的课题之中，新的光源和新的光抗蚀材料得开发有进步，有各种的提案。

其中，关于左右半导体装置或液晶面板的产率的防尘薄膜组件，例如，专利文献3中，作为EUV光刻中使用的防尘膜，虽然记载了透明，不发生光学变形得厚度0.1～2.0μm的有机硅制作得薄膜，但也留下了未解决的问题，这成为EUV曝光技术实用化的大问题。

先行技术文献

专利文献

【专利文献1】特开昭58－219023号公报

【专利文献2】特公昭63－27707号公报

【专利文献3】美国专利第6623893号说明书

【专利文献4】美国专利第4861402号说明书

特别是，有关将防尘膜贴附于防尘薄膜组件框架的接着剂的材料，在以往的i线(波长365nm)曝光，KrF准分子激光光(波长248nm)曝光，ArF准分子激光光(波长193nm)的曝光中，只对其接着力加以考虑而进行选择。

但是，在使用EUV曝光技术，在光抗蚀材料膜中形成10nm以下的细微的图案的场合，在最近进行的模拟结果中，有机硅制防尘膜中EUV光照射的部分，该EUV光的能能够被加热到500℃附近。防尘膜，接着剂，防尘薄膜组件框架的材质不同，线性膨胀系数不同，加热的场合，各材质的膨胀比例不同。

进而，一般来说，有机物的接着剂的热传导率低，所以防尘膜受到的EUV光的照射能发生的热，不能在防尘薄膜组件框架中传递放热。因此，该热会使防尘膜变形，所以细微的曝光变得不可能。进而，最严重的场合，有可能发生防尘膜的破损以及，防尘膜的脱落等。以此，有必要将EUV光的照射能产生的热迅速地迅速的向外部放热。