[发明专利]一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器

权利要求书

1.一种Nand Flash坏块管理方法，其特征在于，包括：

在FPGA模块内建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM；

将每个所述RAM的地址分别作为所述Nand Flash模块中每个块的块地址；

对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态；

分别将所述每个块的块状态存储在相应地址的RAM中；

其中，对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态，包括：

如果所述Nand Flash模块已经过擦除操作时，则根据所述RAM中存储的块状态，判断所述RAM对应的块是否为有效块；

如果所述RAM对应的块为有效块，则向所述RAM对应的块发送块擦除指令；

判断是否接收到所述RAM对应的块反馈的块擦除指令完成信息；

如果接收到所述RAM对应的块反馈的块擦除指令完成信息，则向所述RAM对应的块发送读状态寄存器指令；

接收所述RAM对应的块根据所述读状态寄存器指令反馈的状态数据；

判断所述状态数据中最低位的数值是否为预设值；

如果所述状态数据中最低位的数值为预设值，则判定所述状态数据对应的块为有效块；

如果所述状态数据中最低位的数值不为预设值，则判定所述状态数据对应的块为后天性坏块。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述Nand Flash模块未经过擦除操作时，对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态，包括：

依次读取所述Nand Flash模块中每个块对应的第一页或第二页中备用区的数据；

检测所述备用区的数据是否为FFh；

如果所述备用区的数据为FFh，则判定所述备用区的数据对应的块为有效块；

如果所述备用区的数据不是FFh，则判定所述备用区的数据对应的块为先天性坏块。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述Nand Flash模块已经过擦除操作时，对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态，包括：

依次向所述Nand Flash模块中的块发送读状态寄存器指令；

接收所述Nand Flash模块中的块根据所述读状态寄存器指令反馈的状态数据；

判断所述状态数据中最低位的数值是否为预设值；

如果所述状态数据中最低位的数值为预设值，则判定所述状态数据对应的块为有效块；

如果所述状态数据中最低位的数值不为预设值，则判定所述状态数据对应的块为坏块。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述Nand Flash模块已经过擦除操作时，对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态，包括：

根据所述RAM中存储的块状态，判断所述RAM对应的块是否为有效块；

如果所述RAM对应的块为有效块，则向所述RAM对应的块发送块擦除指令；

判断是否接收到所述RAM对应的块反馈的块擦除指令完成信息；

如果接收到所述RAM对应的块反馈的块擦除指令完成信息，则向所述RAM对应的块发送读状态寄存器指令；

接收所述RAM对应的块根据所述读状态寄存器指令反馈的状态数据；

判断所述状态数据中最低位的数值是否为预设值；

如果所述状态数据中最低位的数值为预设值，则判定所述状态数据对应的块为有效块；

如果所述状态数据中最低位的数值不为预设值，则判定所述状态数据对应的块为后天性坏块。