[发明专利]一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器

说明书

本发明是关于一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器，该坏块管理方法，通过在FPGA模块内建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM，并将每个RAM的地址分别作为Nand Flash模块中每个块的块地址，然后，将检测得到的Nand Flash模块中的每个块的块状态存储在相应地址的RAM，这样，便可以根据各RAM的地址以及RAM中存储的块状态数据，进行相应的读写操作。本发明实施例将RAM的地址作为NAND flash模块中各块的块地址，从而节省了RAM存储块地址占用的空间，并且RAM地址只需用一个计数器来表示，不占用FPGA模块的存储空间，进而节省了FPGA模块的内部资源。

技术领域

本发明涉及闪存存储器技术领域，尤其涉及一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器。

背景技术

Nand Flash(快闪记忆体)内存是Flash内存的一种，由于Nand Flash具有数据存储速度快、容量大、可擦除次数多等优点，因此在业界得到了越来越广泛的应用。由于NandFlash的逻辑控制比较复杂，需要相应的逻辑控制器件如单片机、CPLD(ComplexProgrammable Logic Device，复杂可编程逻辑器件)、FPGA(Field Programmable GateArray，即现场可编程门阵列)等对其进行逻辑控制，其中，FPGA因具有时钟频率高、内部延时小以及丰富的逻辑资源而受到广泛应用。

图1是基于FPGA控制的Nand Flash存储器的硬件结构示意图。如图1所示，该存储器采用模块化设计，其核心是FPGA模块和Nand Flash模块，其中，FPGA作为整个存储器的控制核心，通过接收上级设备的指令控制存储器进入不同的工作状态，同时，接收并处理高速数据，将其存入Nand Flash模块(芯片)中；Nand Flash模块主要实现数据接收处理，实现接收数据的实时存储，并在数据存储完成后，对存储的数据进行回读分析。进一步的，为了提高存储速度、实现海量存储，Nand Flash模块通常由多片NAND Flash芯片组成，每个NandFlash芯片又被分为若干个Block块。但是，由于Nand Flash模块的生产工艺限制，在其出厂时或使用过程中会出现无效的坏块，但对这些坏块进行读写操作时，会造成读写错误、以及数据的丢失，因此需要对坏块进行管理。目前，常见的坏块管理方法是，FPGA对Nand Flash模块内部的所有块进行扫描判别，然后，将所有的坏(或有效)块对应建立一个坏(或有效)块地址列表、或者包含Nand Flash模块中所有的块地址的块状态列表，利用在FPGA内部的RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)资源，将上述列表存储在RAM中，在进行读写操作时，先根据RAM中存储的数据，寻找出有效块地址，再在相应的有效块中进行读写操作。

但是，RAM在存储块地址时至少需要12bit的字节，并且Nand Flash模块中通常包含大量的块(如4096个块)，因此FPGA内部的RAM至少要占用12bit位宽、4096深度的字节，所以上述坏块管理方法，占用大量的FPGA内部RAM资源，尤其在PFGA内部资源紧张的情况下，会导致FPGA程序无法运行或者运行不正确。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本发明提供一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种Nand Flash坏块管理方法，该方法包括：

建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM；

将每个所述RAM的地址分别作为所述Nand Flash模块中每个块的块地址；

对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态；

分别将所述每个块的块状态存储在相应地址的RAM中。