[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201610905650.X | 申请日: | 2016-10-18 |
公开(公告)号: | CN106611715A | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 何彦仕;刘沧宇;李柏汉;廖季昌 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/48 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种晶片封装技术,特别为有关于一种具有无源元件的晶片封装体及其制造方法。
背景技术
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中,使其免受外界环境污染外,还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。
一般而言,晶片封装体与其他电子元件(例如,无源元件)各自独立地设置于电路板上,且间接地彼此电性连接。然而如此一来,电路板的尺寸受到限制,进而导致所形成的电子产品的尺寸难以进一步缩小。再者,由于晶片封装体与其他电子元件之间的电性传输路径长,造成电子产品的功率(power)及/或信号(signal)的衰减程度高,也容易产生噪声(noise),因此降低了电子产品的品质。
因此,有必要寻求一种新颖的晶片封装体及其制造方法,其能够解决或改善上述的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种晶片封装体,包括:一基底,基底内具有一感测区或元件区;一第一导电结构,位于基底上,且与感测区或元件区电性连接;以及一无源元件,纵向地堆迭于基底上,且与第一导电结构横向排列。
本发明实施例提供一种晶片封装体的制造方法,包括:提供一基底,基底内具有一感测区或元件区;在基底上形成一第一导电结构,第一导电结构与感测区或元件区电性连接;以及,将一无源元件纵向地堆迭于基底上。无源元件与第一导电结构横向排列。
本发明可进一步降低电子产品的尺寸,而且可避免功率及/或信号的衰减,也有效防止噪声的产生,使得电子产品的品质及可靠度提升。
附图说明
图1A至1E是绘示出根据本发明某些实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。
图2是绘示出根据本发明某些实施例的无源元件的剖面示意图。
其中,附图中符号的简单说明如下:
100:基底;100a:第一表面;100b:第二表面;110:晶片区;120:感测区或元件区;130:绝缘层;140:导电垫;150:光学部件;160:间隔层;170:盖板;180:空腔;190:开口;210:绝缘层;220:重布线层;230:保护层;240:开口;250:开口;260:第一导电结构;270:接合层;300:无源元件;310:元件区;320:接合结构;330:开口;340:绝缘层;350:重布线层;360:保护层;370:开口;380:第二导电结构;A:晶片封装结构;P:平面。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而应注意的是,本发明提供许多可供应用的发明概念,其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式,非用以限制本发明的范围。此外,在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者,当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时,包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造