[发明专利]集成电路组合件

说明书

本申请案涉及一种集成电路组合件。集成电路IC裸片包含顶面及底面、位于所述顶面与所述底面之间的多个分隔开的接地连接迹线；其中所述裸片中的孔暴露所述多个分隔开的接地连接迹线。

技术领域

本申请案涉及一种集成电路组合件。

背景技术

集成电路(“IC”)芯片/裸片为了实用性而必须彼此电连接或连接到其它电子组件。由导电金属(例如铜、银或金)制成的引线框通常用于将IC裸片电连接到其它电子组件。将IC裸片连接到引线框的一种流行且灵活的方法是导线结合。结合导线通常由铝、铜或金组成。在高功率应用中，结合导线直径通常在从约15μm到几百μm的范围中。存在两个基本类型的导线结合-球体结合及楔结合。

球体结合通常是利用热量、压力及超声能量的组合来执行。在球体结合中，小的熔融球体凭借通过视为固定及分配导线的毛细管的工具施加高电压电荷而形成在结合导线的端部处。熔融球体放置在芯片的电接触表面上。接触表面通常是铜或铝。接着施加热量、压力及超声能量的组合，其在球体与接触表面之间产生焊缝。球体结合有时候称为第一结合，因为其通常是在将IC裸片导线结合到引线框时制造的第一结合。

在裸片-引线框互连中，通常用于将结合导线的第二端连接到引线框的导线结合的类型称为楔结合或有时候称为第二结合。其是通过将结合导线的端部挤压在引线框或其它金属表面与毛细管工具的尖端之间并同时对连接区域加热而形成。在对裸片附接垫(DAP)执行楔结合(也称作缝合结合)时可导致附接的裸片从DAP中分层。

发明内容

一种集成电路(IC)裸片，其包含位于裸片的顶面与底面之间的多个分隔开的接地连接迹线，其中所述裸片中的孔暴露所述多个分隔开的接地连接迹线。还描述了一种通过由导电材料填充孔且将裸片附接到引线框的组合件及其制造方法，其中没有结合导线附接到裸片附接垫。

附图说明

图1是现有技术裸片及引线框组合件的俯视平面图。

图2是裸片及引线框组合件的俯视平面图。

图3是本文中揭示的新裸片制造过程的初始阶段处的裸片晶片的俯视平面图。

图4是在本文中揭示的新裸片制造过程的另一阶段处安装在晶片环上的裸片晶片的俯视平面图。

图5是图4的裸片晶片及晶片环的俯视平面图，其中每一裸片部分中形成中心孔。

图6是图5的裸片晶片及晶片环在晶片单一化/切块之后的俯视平面图。

图7是引线框的俯视平面图，其中图6的单一化裸片中的一者安装在引线框的裸片附接垫上。

图8是图7的其中具有钻孔的裸片的部分的放大等距视图。

图9是图8的已经用导电材料填充孔之后的放大视图。

图10是图6的裸片及引线框的横截面视图。

图11是制造集成电路组合件的方法的流程图。

图12是消除集成电路封装中的接地导线与信号导线之间的导线偏移的方法的流程图。

具体实施方式

图1是现有技术裸片及引线框组合件的俯视平面图。引线框10具有裸片附接垫(DAP)12及多个引线14。裸片16安装在DAP 12上。裸片16具有顶面18，其包含多个裸片电接触表面22。第一多个结合导线30在其第一端处球体结合到裸片接触表面22且在其第二端处缝合结合到引线14。第二多个结合导线32球体结合到与裸片16内的接地迹线连接的某些裸片接触表面23。此类导线32的相对端缝合结合到DAP 12。