[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的至少一个升高的伪部件，其中，所述升高的伪部件在所述半导体衬底上限定单元区域；

位于所述单元区域上的至少一个存储器单元；

侧壁间隔件，位于所述至少一个存储器单元的相对侧壁上，其中，所述侧壁间隔件的邻近于所述升高的伪部件的第一侧壁间隔件的上部的厚度大于所述第一侧壁间隔件的下部的厚度，并且大于所述侧壁间隔件的邻近于所述至少一个存储器单元中的存储器单元的第二侧壁间隔件的上部的厚度，从而使得所述第二侧壁间隔件比所述第一侧壁间隔件具有更均匀的厚度；以及

邻近于所述存储器单元的至少一个字线，其中，所述字线的上表面与所述存储器单元和所述伪部件的上表面齐平，

其中，所述升高的伪部件具有至少一个连通所述单元区域与所述单元区域外侧的非单元区域的开口，并且从顶视图看，所述升高的伪部件以断开且不连续的方式围绕所述单元区域的外围。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述升高的伪部件具有位于其中的伪控制栅极层，所述存储器单元具有位于其中的控制栅极层，并且所述升高的伪部件的所述伪控制栅极层和所述存储器单元的所述控制栅极层由相同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述升高的伪部件具有位于其中的伪浮动栅极层，所述存储器单元具有位于其中的浮动栅极层，并且所述升高的伪部件的所述伪浮动栅极层和所述存储器单元的所述浮动栅极层由相同的材料制成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述升高的伪部件具有位于其中的伪存储堆叠件，所述存储器单元具有位于其中的存储堆叠件，并且所述升高的伪部件的所述伪存储堆叠件和所述存储器单元的所述存储堆叠件由相同的材料制成。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述升高的伪部件包围所述存储器单元。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括，邻近于所述存储器单元并且位于所述半导体衬底中的源极区域。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

位于所述半导体衬底中的用于限定至少一个有源区域的至少一个隔离结构，其中，所述存储器单元位于所述有源区域上，并且所述升高的伪部件位于所述有源区域的外侧。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

位于所述半导体衬底中的用于限定至少一个有源区域的至少一个隔离结构，其中，所述存储器单元位于所述有源区域上，并且所述升高的伪部件位于所述隔离结构上。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

位于所述半导体衬底中的用于限定至少一个有源区域的至少一个隔离结构，其中，所述存储器单元和所述升高的伪部件位于所述有源区域上。