[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构，包括：半导体衬底；至少一个升高的伪部件；至少一个存储器单元；以及至少一个字线。升高的伪部件位于半导体衬底上并且在半导体衬底上限定单元区域。存储器单元位于单元区域上。字线邻近于存储器单元。本发明的实施例还提供了一种用于形成半导体结构的方法。

优先权声明和交叉引用

本申请要求于2015年10月20日提交的美国临时申请第62/243,920号的优先权，其内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构以及用于形成半导体结构的方法。

背景技术

在电子元件和系统中使用由半导体材料制成的器件来创建存储电路。由于数据和指令组存储在其中，因此存储电路作为这些器件的支柱。这种电路上的每单位面积的存储元件数量最大化使得它们的成本最低，并且因此这是这种电路设计中的动力。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的至少一个升高的伪部件，其中，升高的伪部件在半导体衬底上限定单元区域；位于单元区域上的至少一个存储器单元；以及邻近于存储器单元的至少一个字线。

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底，半导体衬底具有位于其上的单元区域；位于单元区域上的至少一个存储器单元；邻近于存储器单元的至少一个字线；以及位于单元区域外侧的至少一个升高的伪部件，其中，升高的伪部件具有位于其中的伪控制栅极层，存储器单元具有位于其中的控制栅极层，并且升高的伪部件的伪控制栅极层和存储器单元的控制栅极层由基本上相同的材料制成。

本发明的实施例提供了一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成至少一个存储器单元和至少一个升高的伪部件，升高的伪部件围绕存储器单元；在存储器单元和升高的伪部件上形成栅电极层，其中，栅电极层具有在升高的伪部件上的至少一个上部和通过上部围绕的至少一个内侧凹部；以及在栅电极层上施加可流动材料，其中，可流动材料通过栅电极层的上部至少部分地限定。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例的形成半导体结构的方法的流程图。

图2A至图2E和图2G至图2L是根据本发明的一些实施例的在用于形成半导体结构的方法的多个中间阶段处的半导体结构的截面图。

图2F是图2E的半导体结构的示意性顶视图。

图3A是根据本发明的一些实施例的半导体结构的顶视图。

图3B是沿着图3A的线3B-3B截取的截面图。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体结构的顶视图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现主题提供的不同特征。下面描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在各个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所讨论的实施例和/或配置之间的关系。