[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装互连件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及晶圆级芯片尺寸封装互连件及其制造方法。

背景技术

半导体器件被用在诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备等各种电子应用中。半导体器件典型的通过依次在半导体衬底上沉积绝缘或介电层、导电层和半导体衬底上的材料半导体层以及使用光刻技术图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件制造。

形成互连件以连接两个衬底。随着第二衬底在其接合焊盘位点上通过互连件合并至第一衬底，在第一衬底的接合焊盘上沉积互连件的阵列。例如，互连件可以是在焊盘上形成的焊料球并且然后回流以附接第二衬底。互连件可以形成为与地布局(land layout)不同的布局以允许输出布局的定制化。这可以通过设置在电介质中的金属线来完成的，用一个或多个金属层重叠在地(land)上并通过导电镀层连接至地(land)上。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种制备晶圆级芯片尺寸封装互连件的方法，包括：在衬底上方形成后钝化互连层；在所述后钝化互连层上方形成互连件；以及在所述衬底上方释放模塑料材料，使所述模塑料材料流动以横向密封所述互连件的部分。

连件的方法，包括：在衬底上方形成接触焊盘；在所述衬底上方和所述接触焊盘的边缘上方形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述接触焊盘的中心区域的开口；在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上方形成后钝化互连层，所述后钝化互连层具有设置在所述开口中并且与所述接触焊盘接触的部分；在设置在所述第二绝缘层上方的所述后钝化互连层上方形成互连件；以及使用印刷工艺或分配工艺中的至少一种在所述后钝化互连层上方形成第三绝缘层，所述第三绝缘层横向环绕所述互连件的接近所述衬底的部分。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种半导体封装件，包括：衬底；接触焊盘，位于所述衬底上面；至少一个绝缘层，设置在所述衬底上方并且具有暴露所述接触焊盘的部分的开口；后钝化互连层，设置在所述开口内并且在所述至少一个绝缘层的远离所述衬底的表面上方延伸；第一焊料凸块和第二焊料凸块，位于所述后钝化互连层上面；以及模塑料层，位于所述后钝化互连层上方并且覆盖所述第一焊料凸块和所述第二焊料凸块的每个的下部，其中，所述模塑料层的环绕位于所述衬底的角部区域中的所述第一焊料凸块的厚度小于所述模塑料层的环绕位于所述衬底的中心区域中的所述第二焊料凸块的厚度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A到图1G示出了根据一些实施例的用于形成互连件的方法的一些步骤的工艺流程。

图2示出了根据一些实施例的衬底和沿着衬底边缘形成的坝环的俯视图。

图3示出了根据一些实施例的图1G所示的互连件的放大图。

图4示出了根据一些实施例的在衬底上方形成的多个互连件的俯视图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。此外，在随后的说明书中，在第二工艺之前实施第一工艺可包括在第一工艺之后立即实施第二工艺的实施例，并且还可以包括在第一工艺和第二工艺之间可实施额外工艺的实施例。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。