[发明专利]声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法有效

专利信息
申请号: 201610911957.0 申请日: 2016-10-19
公开(公告)号: CN107094005B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 康崙盛;南智惠;金光洙;姜珌中;李桢日 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03H9/58 分类号: H03H9/58
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金光军;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 声波 滤波器 装置 制造 封装 方法
【说明书】:

本发明提供一种声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法,其中,所述声波滤波器装置包括:声波滤波器件;基体,所述声波滤波器件形成在基体上,并且所述基体包括结合件,所述结合件被形成为围绕所述声波滤波器件;盖,包括形成在所述盖中的凹槽以及结合对应件,所述结合对应件被形成为与所述结合件相对应。所述凹槽位于所述声波滤波器件的上方。所述结合件和所述结合对应件接收电压,以使所述结合件和结合对应件变形且彼此结合。

本申请要求于2016年2月17日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0018303号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种声波滤波器装置。

背景技术

近年来,使用体声波(BAW)滤波器的装置已在无线通信系统的小型化、多功能化和性能改进中起到了非常重要的作用。为实现BAW滤波器装置的特性,需要能够在真空状态保持可靠的密封以阻挡水分的渗入的气密封。

因此,在制造BAW滤波器装置时普遍使用的结合技术中,晶圆级结合技术已经被用于保持气密封,这种晶圆级结合技术包括硅-硅(Si-Si)直接结合技术、硅-玻璃(Si-Glass)阳极结合技术和使用火石玻璃的结合技术。

然而,由于结合温度高或可加工性差,这些技术不是普遍适于BAW滤波器装置的封装件。

发明内容

提供该发明内容以简化的形式对挑选出来的构思进行描述,并在具体实施方式中对所述构思进行进一步描述。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征,也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据实施例,提供结构稳定并被构造成防止水分渗入的声波滤波器装置。

通过以下具体实施方式,其他特征和方面将是显而易见的。根据实施例,提供一种声波滤波器装置,包括:声波滤波器件;基体,所述声波滤波器件形成在基体上,并且所述基体包括形成为围绕声波滤波器件的结合件;盖,包括形成在所述盖中的凹槽和形成为与结合件相对应的结合对应件,其中,凹槽可位于声波滤波器件的上方;其中,结合件和结合对应件接收电压,以使结合件和结合对应件变形且彼此结合。

结合对应件可位于盖的边缘,并与结合件相对对齐,所述结合件可形成在基体的上表面上。

结合件和结合对应件可由金(Au)形成。

结合件和结合对应件可包括与声波滤波器件的形状相对应的带状形状。

根据另一实施例,提供制造声波滤波器装置的封装件,包括:声波滤波器件;基体晶圆,所述声波滤波器件形成在基体晶圆上,并且所述基体晶圆包括形成为围绕声波滤波器件的结合件;盖晶圆,包括形成在所述盖晶圆中的凹槽和形成为与结合件相对应的结合对应件,其中,所述凹槽可位于声波滤波器件上方,其中,所述结合件和结合对应件接收电压,以使结合件和结合对应件变形且彼此结合。

结合件和结合对应件可由金(Au)形成。

封装件还可包括:用于向结合件施加电压的第一垫,第一垫可形成在基体晶圆上;用于向结合对应件施加电压的第二垫,第二垫可形成在盖晶圆上。

封装件还可包括:第一垫,连续地形成在基体晶圆的下表面的两端部、基体晶圆的侧部和基体晶圆的上表面的两端部上,以向结合件施加电压。

封装件还可包括:第一垫,形成在基体晶圆的下表面的两端部和基体晶圆的上表面的两端部。

结合件和结合对应件可包括与声波滤波器件的形状相对应的形状。

结合件可包括四边形带状形状,并且结合件可彼此连接并可连接到第一垫。

结合对应件可包括四边形带状形状,并且结合对应件可彼此连接并可连接到第二垫。

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