[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括：

提供一基底，该基底上定义有一第一区以及与该第一区相邻的一第二区；

于该基底上形成一材料层；

于该材料层上形成一图案化掩模，其中该图案化掩模包括：

第一部，覆盖位于该第一区的该材料层；以及

第二部，对应该第二区，其中该第二部包括一格状结构，该格状结构包括：

多个开口，其中各该开口暴露出的位于该第二区的该材料层；以及

多个遮蔽部，其中各该遮蔽部位于相邻的该多个开口之间，且各该遮蔽部覆盖的位于该第二区的该材料层，其中该基底还包括多个导线位于该第二区中，该材料层共形地形成于该多个导线上，且该材料层部分位于该多个导线之间，各该开口于一垂直方向上对应至少一条该导线的一部分，且各该遮蔽部覆盖至少的位于两相邻的该多个导线之间的该材料层；以及

进行一等向性蚀刻，用以移除被该多个开口所暴露的该材料层以及被该多个遮蔽部所覆盖的该材料层。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中被该多个遮蔽部所覆盖的该材料层通过该等向性蚀刻的侧向蚀刻而被完全移除。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中各该开口沿一第一方向延伸，且该多个开口沿一第二方向排列。

4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该多个开口沿一第一方向以及一第二方向排列而形成一阵列型态。

5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中各该开口于该垂直方向上对应多条该多个导线的一部分。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中各该遮蔽部覆盖多条该多个导线以及所覆盖的该多个导线之间的该材料层。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中各该导线沿一第一方向延伸，且该多个导线沿一第二方向排列。

8.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中各该导线包括一位线。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中该第二区包括一存储单元区，且该第一区包括一周围线路区。

10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其中该基底还包括多个栅极结构位于该第一区中，且该材料层包括一间隙子材料层共形地形成于该多个导线与该多个栅极结构上。