[发明专利]电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法

权利要求书

1.一种电子元件封装件，包括：

基板；

元件，设置在所述基板上；

盖，封闭所述元件；

结合部，被构造成将所述基板结合到所述盖；

阻挡部，设置成围绕所述结合部，

其中，所述结合部的至少一部分与所述阻挡部的内侧表面的至少一部分接触。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述结合部包括：

第一结合层，形成在基板和盖中的一者上；

第二结合层，覆盖第一结合层并与阻挡部接触。

3.根据权利要求2所述的电子元件封装件，其中，所述阻挡部包括与基板和盖接触的阻挡层。

4.根据权利要求3所述的电子元件封装件，其中，所述第二结合层填充第一结合层和阻挡层之间的空间。

5.根据权利要求2所述的电子元件封装件，其中，所述阻挡部包括形成在基板和盖中的另一者中的槽。

6.根据权利要求5所述的电子元件封装件，其中，第二结合层填充第一结合层和槽之间的空间。

7.根据权利要求5所述的电子元件封装件，其中，所述槽的宽度大于第一结合层的宽度。

8.根据权利要求2所述的电子元件封装件，其中，所述阻挡部包括：

阻挡层，与基板和盖接触；

槽，形成在基板和盖中的另一者中。

9.根据权利要求8所述的电子元件封装件，其中，所述第二结合层填充第一结合层和阻挡层之间的空间，以及第一结合层和槽之间的空间。

10.根据权利要求8所述的电子元件封装件，其中，所述槽的宽度大于第一结合层的宽度。

11.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述电子元件封装件为体声波谐振器。

12.一种制造电子元件封装件的方法，包括：

在基板的表面上形成元件；

将封闭所述元件的盖结合到所述基板；

其中，所述结合通过将所述基板结合到盖的结合部产生，所述结合使得形成在基板或盖上的阻挡部能够阻挡形成结合部的材料的流动。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述结合部通过将形成在基板和盖中的一者上的第一结合层结合到形成在基板和盖中的另一者上的第二结合层而形成，并且所述结合使得阻挡部能够阻挡第二结合层的流动。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，第一结合层和第二结合层的结合为共晶结合或瞬态液相结合。

15.一种电子元件封装件，包括：

盖，被构造成覆盖基板；

阻挡部，被构造成与基板的上表面的一部分和盖的下表面的一部分接触；

结合部，被构造成将所述基板的上表面的一部分结合到所述盖的下表面的一部分，其中，所述阻挡部被设置成围绕结合部，并且所述结合部包括：

第一结合层，形成在基板的上表面的一部分上，

第二结合层，被构造成覆盖第一结合层并填充第一结合层和阻挡部之间的空间。

16.根据权利要求15所述的电子元件封装件，其中，第一结合层包括突起形状，第一结合层的厚度小于结合部的厚度，并且第一结合层与盖相隔开。

17.根据权利要求15所述的电子元件封装件，其中，第二结合层填充所述基板、盖、第一结合层和阻挡部之间的空间。