[发明专利]电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法

说明书

本公开涉及电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法。所述电子元件封装件包括：基板；元件，设置在所述基板上；盖，封闭所述元件；结合部，将所述基板结合到所述盖；阻挡部，设置在所述结合部的两侧。

本申请要求于2016年3月17日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0032166号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法。

背景技术

近年来，随着移动通信装置的迅速发展，对于微型滤波器、振荡器和其他组件的需求也随之增加。例如，体声波(BAW)谐振器已经被经常用于实施微型滤波器、振荡器和其他组件。使用BAW谐振器具有诸如能够实现低成本批量生产和能够小型化的优点。进一步地，BAW谐振器可获得高的品质因子并可用于微频段。

一般地，因为BAW谐振器的谐振器(振动器)的性能在500℃或大于500℃的结合温度会劣化，所以BAW谐振器需要在500℃或小于500℃时进行气密封。因而，可以使用热扩散结合、晶圆结合或硅直接结合。共熔结合包括瞬态液相结合。

进一步地，当被应用于具有总厚度值(TTV)差的结构时，晶圆结合或瞬态液相结合可使结合表面不平整，这是因为上部压力和下部压力使得具有低熔点的材料或金属间化合物被挤压，从而在类似液体的状态下向下流动。结合表面的不平整在其区域上产生裂纹，这导致需要气密封的结合工艺的良率减小。

为解决这个问题，经常使用将足量熔融材料形成为层并按压该层以充分地补偿厚度变化的方法，但是该方法会导致结合材料的厚度增加，并造成原材料的成本上升。

发明内容

提供该发明内容以简化的形式对挑选出来的构思进行描述，并在具体实施方式中对所述构思进行进一步描述。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据实施例，提供了具有新型结合结构的电子元件封装件以及制造该电子元件封装件的方法，其中，盖和基板可利用少量的结合材料充分地结合，而不论其厚度分布如何。

在实施例中，可显著地减小结合材料的流动的阻挡部可形成为围绕可将基板结合到盖的结合部。

根据实施例，提供一种电子元件封装件，包括：基板；元件，设置在所述基板上；盖，封闭所述元件；结合部，将所述基板结合到所述盖；阻挡部，设置成围绕所述结合部。

结合部可包括：第一结合层，形成在基板和盖中的一者上；第二结合层，覆盖第一结合层并与阻挡部接触。

阻挡部可包括与基板和盖接触的阻挡层。

第二结合层可填充第一结合层和阻挡层之间的空间。

阻挡部可包括形成在基板和盖中的另一者中的槽。

第二结合层可填充第一结合层和槽之间的空间。

槽的宽度可大于第一结合层的宽度。

阻挡部可包括：阻挡层，与基板和盖接触；槽，形成在基板和盖中的另一者中。

第二结合层可填充第一结合层和阻挡层之间的空间，以及第一结合层和槽之间的空间。

槽的宽度可大于第一结合层的宽度。

电子元件封装件为体声波(BAW)谐振器。

根据另一实施例，提供一种制造电子元件封装件的方法，包括：

在基板的表面上形成元件；将封闭元件的盖结合到基板，其中，所述结合通过将基板结合到盖的结合部产生，所述结合使得形成在基板或盖上的阻挡部能够阻挡形成结合部的材料的流动。