[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成倒梯形的负性的光刻胶图案；

对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂直；

进行各向异性蚀刻，以蚀刻去除所述光刻胶图案侧壁外侧的所述阻挡层；

在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；

去除所述光刻胶图案和所述阻挡层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述倒梯形的光刻胶图案的方法包括：

在所述半导体衬底上旋涂负性光刻胶；

利用明场光罩对所述负性光刻胶进行曝光；

将未被曝光的负性光刻胶显影去除，以形成所述倒梯形的光刻胶图案。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述显影使用的显影液包括乙酸正丁酯。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为低温氧化物层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述低温氧化物层的方法包括：在低于200℃的温度下实施等离子体增强化学气相沉积。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用等离子体蚀刻实施所述各向同性蚀刻。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述等离子体蚀刻使用包括HBr和He的蚀刻气体，或者，使用包括氧气的蚀刻气体。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用等离子体蚀刻实施所述各向异性蚀刻，所述等离子体蚀刻的蚀刻气体包括碳氟化合物。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述光刻胶图案和所述阻挡层的步骤之后，还包括步骤：

以所述间隙壁为掩膜蚀刻所述半导体衬底，将图案转移至所述半导体衬底中。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁的步骤包括以下过程：

共形沉积间隙壁材料层，以覆盖所述光刻胶图案、所述阻挡层和部分所述半导体衬底露出的表面；

回蚀刻去除所述光刻胶图案顶面上以及部分所述半导体衬底表面上的所述间隙壁材料层，以形成所述间隙壁。