[发明专利]半导体器件以及形成场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，具有第一半导体材料并且从隔离结构之间突出，所述鳍具有源极/漏极(S/D)区域和沟道区域，所述源极/漏极区域提供顶面和两个侧壁表面，其中，所述源极/漏极区域的宽度小于所述沟道区域的宽度；

半导体膜，位于所述源极/漏极区域上方且具有掺杂的第二半导体材料，所述半导体膜的顶面和两个侧壁表面分别地平行于所述源极/漏极区域的顶面和两个侧壁表面，其中，所述半导体膜还具有底面，所述底面包括：

第一部分，全部与所述源极/漏极区域的表面接触；以及

第二部分，从所述源极/漏极区域的最外部分分别延伸至所述两个侧壁表面并且与所述隔离结构间隔开的距离逐渐增大；

金属接触件，位于所述半导体膜的顶面和两个侧壁表面上方且用于与所述源极/漏极区域电通信；以及

超薄介电层，位于所述半导体膜和所述金属接触件之间，其中，所述超薄介电层具有不大于1nm的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超薄介电层通过所述半导体膜与所述隔离结构间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超薄介电层具有不大于0.5nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体膜的两个侧壁表面的每个垂直于所述半导体膜的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体膜的两个侧壁表面的每个通过所述半导体膜的各自中间表面连接至所述半导体膜的顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅或硅锗。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂的第二半导体材料是下列中的一种：硼掺杂的硅锗、磷掺杂的硅和磷掺杂的硅碳。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体膜的顶面具有(100)晶体取向，并且所述半导体膜的两个侧壁表面的每个具有(110)晶体取向。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极区域的高度小于所述沟道区域的高度。

10.一种形成场效应晶体管(FET)的方法，包括：

提供从隔离结构之间突出的鳍，其中，所述鳍包括第一半导体材料并且具有用于所述场效应晶体管的源极区域、沟道区域和漏极区域；

在所述沟道区域上方形成栅极堆叠件；

修整所述鳍以减小在所述源极区域和所述漏极区域中的所述鳍的宽度；

在所述源极区域和所述漏极区域上方形成半导体膜，其中，所述半导体膜包括掺杂的第二半导体材料且共形于所述鳍，其中，所述半导体膜还具有底面，所述底面包括：

第一部分，全部与所述源极区域或所述漏极区域的表面接触；以及

第二部分，从所述源极区域或所述漏极区域的最外部分延伸至所述半导体膜的侧壁表面并且与所述隔离结构间隔开的距离逐渐增大；

在所述半导体膜上方沉积超薄介电层，其中，所述超薄介电层具有不大于1nm的厚度；以及

在所述超薄介电层上方沉积金属，其中，所述金属用于与所述源极区域和所述漏极区域电通信。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体膜的形成是通过选择性地生长(100)和(110)晶体取向的所述掺杂的第二半导体材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述栅极堆叠件包括：

在所述半导体膜的形成之前，在所述沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；以及

在所述半导体膜的形成之后，用所述栅极堆叠件置换所述伪栅极堆叠件。