[发明专利]扇出型封装件结构和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在载体上附接半导体结构，其中，所述半导体结构包括多个连接件；

在所述载体上方沉积模塑料层，其中，所述半导体结构嵌入在所述模塑料层中；

在所述模塑料层上沉积第一感光材料层；

根据第一图案将所述第一感光材料层暴露于光；

在所述第一感光材料层上沉积第二感光材料层；

根据第二图案将所述第二感光材料层暴露于光；

显影所述第一感光材料层和所述第二感光材料层以形成多个开口；

用导电材料填充所述多个开口以形成第一重分布层；以及

在所述第一重分布层上方形成多个凸块。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述载体上方沉积所述模塑料层的步骤之后，对所述模塑料层施加研磨工艺直到暴露出所述半导体结构的顶面。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在用所述导电材料填充所述多个开口以形成所述第一重分布层的步骤之前，在所述第二感光材料层的顶面上形成光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述光刻胶层的侧壁与所述多个开口的一个开口的侧壁垂直对齐；并且

所述光刻胶层的厚度大于5μm。

5.根据权利要求3所述的方法，其中：

在用所述导电材料填充所述多个开口以形成所述第一重分布层的步骤之后，所述第一重分布层的顶面与所述光刻胶层的底面平齐。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一重分布层上方形成第二重分布层；以及

在所述第二重分布层上方形成第三重分布层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一重分布层上方形成多个凸块下金属结构；以及

在所述多个凸块下金属结构上方形成多个凸块。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在用所述导电材料填充所述多个开口以形成所述第一重分布层的步骤之前，在所述多个开口中形成晶种层。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在载体上附接半导体结构，其中，所述半导体结构包括连接件，并且其中，所述连接件的顶面与所述半导体结构的顶面平齐；

在所述载体上方沉积模塑料层，其中，所述半导体结构嵌入在所述模塑料层中；

将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；

显影所述第一感光材料层和所述第二感光材料层以形成开口，所述开口具有位于所述第一感光材料层中的第一部分和位于所述第二感光材料层中的第二部分，其中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；

用导电材料填充所述开口以在所述第一感光材料层中形成通孔和在所述第二感光材料层中形成重分布层；以及

在所述重分布层上方形成凸块。

10.一种半导体装置，包括：

半导体结构，位于模塑料层中；

第一聚合物层，位于所述模塑料层上；

第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上；

第一互连结构，具有位于所述第一聚合物层中的第一通孔部分和位于所述第二聚合物层中的第一金属线部分；

第三聚合物层，位于所述第二聚合物层上；

第四聚合物层，位于所述第三聚合物层上；以及

第二互连结构，具有位于所述第三聚合物层中的第二通孔部分和位于所述第四聚合物层中的第二金属线部分，其中，所述第二通孔部分与所述第一通孔部分垂直对齐。