[发明专利]扇出型封装件结构和方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及扇出型封装件结构和方法。

背景技术

由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体产业经历了快速的发展。在大多数情况下，这种集成度的提高源自最小特征尺寸的不断减小，这使得更多的部件集成在给定的区域内。然而，更小的部件尺寸可以导致更多的泄漏电流。随着近来对微型化、更高速度、更大带宽以及更低功耗和延迟的要求提高，也产生了对于半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需要。

随着半导体技术的进一步发展，具有扇出型封装件的半导体器件作为有效替代物出现从而进一步改善半导体器件的性能。在具有扇出型封装件的半导体器件中，模塑料层可以形成在半导体管芯周围以提供额外的表面区域，从而支撑扇出型互连结构。例如，可以在模塑料层的顶面上方形成多个重分布层。此外，重分布层电连接至半导体管芯的有源电路。然后，可以形成诸如位于凸块金属化结构上的焊球以通过重分布层电连接到半导体管芯。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在载体上附接半导体结构，其中，所述半导体结构包括多个连接件；在所述载体上方沉积模塑料层，其中，所述半导体结构嵌入在所述模塑料层中；在所述模塑料层上沉积第一感光材料层；根据第一图案将所述第一感光材料层暴露于光；在所述第一感光材料层上沉积第二感光材料层；根据第二图案将所述第二感光材料层暴露于光；显影所述第一感光材料层和所述第二感光材料层以形成多个开口；用导电材料填充所述多个开口以形成第一重分布层；以及在所述第一重分布层上方形成多个凸块。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在载体上附接半导体结构，其中，所述半导体结构包括连接件，并且其中，所述连接件的顶面与所述半导体结构的顶面平齐；在所述载体上方沉积模塑料层，其中，所述半导体结构嵌入在所述模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影所述第一感光材料层和所述第二感光材料层以形成开口，所述开口具有位于所述第一感光材料层中的第一部分和位于所述第二感光材料层中的第二部分，其中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；用导电材料填充所述开口以在所述第一感光材料层中形成通孔和在所述第二感光材料层中形成重分布层；以及在所述重分布层上方形成凸块。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体装置，包括：半导体结构，位于模塑料层中；第一聚合物层，位于所述模塑料层上；第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上；第一互连结构，具有位于所述第一聚合物层中的第一通孔部分和位于所述第二聚合物层中的第一金属线部分；第三聚合物层，位于所述第二聚合物层上；第四聚合物层，位于所述第三聚合物层上；以及第二互连结构，具有位于所述第三聚合物层中的第二通孔部分和位于所述第四聚合物层中的第二金属线部分，其中，所述第二通孔部分与所述第一通孔部分垂直对齐。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1示出了根据本发明的各个实施例的具有扇出型封装件的半导体器件的截面图；

图2至图15示出了根据本发明的各个实施例的制造图1中示出的半导体器件的中间步骤；以及

图16示出了根据本发明的各个实施例的形成图1中示出的半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。