[发明专利]分割和接合方法及其形成的结构

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

分割第一芯片，所述第一芯片包括第一半导体衬底和在所述第一半导体衬底的正面上的第一互连结构，分割所述第一芯片包括通过所述第一半导体衬底的背面蚀刻穿过所述第一互连结构，其中，在蚀刻穿过所述第一互连结构时，在所述第一互连结构的侧壁和所述第一互连结构的外表面之间留下介于60°和89°之间的内角；以及

在所述分割所述第一芯片之后，将所述第一芯片接合至第二芯片，以使所述第一互连结构的侧壁与所述第二芯片的第二互连结构的表面之间形成小于90°的夹角。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻之后，所述第一互连结构的外侧壁与位于所述第一半导体衬底的最远端的所述第一互连结构的外表面相交的角度不等于90°。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二芯片包括第二半导体衬底和在所述第二半导体衬底的正面上的第二互连结构，在将所述第一芯片接合至所述第二芯片期间，所述第二半导体衬底为晶圆的未分割的部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二芯片包括第二半导体衬底和在所述第二半导体衬底的正面上的第二互连结构，当将所述第一芯片接合至所述第二芯片时，所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

使用第一密封剂密封位于所述第二芯片上的所述第一芯片；

形成穿过所述第二芯片的第二半导体衬底的背面至所述第二互连结构、所述第一互连结构或它们的组合的第一通孔；以及

在所述第二芯片的第二半导体衬底的背面上形成第三互连结构，所述第三互连结构连接至所述第一通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

将第三芯片接合至所述第三互连结构，所述第三芯片包括第三半导体衬底和位于所述第三半导体衬底的正面上的第四互连结构，所述第四互连结构接合至所述第三互连结构。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

使用第二密封剂密封所述第二芯片上的所述第三芯片；

形成穿过所述第三芯片的第三半导体衬底的背面至所述第四互连结构、所述第三互连结构或它们的组合的第二通孔；以及

在所述第三芯片的第三半导体衬底的背面上和在所述第二密封剂上形成第五互连结构，所述第五互连结构连接至所述第二通孔。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括：

分割包括所述第一芯片和所述第二芯片的芯片堆叠件，分割所述芯片堆叠件包括依次蚀刻穿过所述第一密封剂、所述第二互连结构、所述第二半导体衬底和所述第三互连结构。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将所述芯片堆叠件接合至第三芯片，所述第三芯片包括第三半导体衬底和位于所述第三半导体衬底的正面上的第四互连结构，所述第三互连结构接合至所述第四互连结构；以及

密封位于所述第三芯片上的所述芯片堆叠件。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括：

分割包括所述第一芯片和所述第二芯片的芯片堆叠件，分割所述芯片堆叠件包括：

依次蚀刻穿过所述第三互连结构、所述第二半导体衬底和所述第二互连结构，以及

在所述依次蚀刻之后，从所述第一芯片周围去除所述第一密封剂。

11.根据权利要求4所述的方法，还包括：

使用第一密封剂密封所述第二芯片上的所述第一芯片；

形成穿过所述第一芯片的第一半导体衬底的背面至所述第一互连结构、所述第二互连结构或它们的组合的第一通孔；以及

在所述第一芯片的第一半导体衬底的背面上和在所述第一密封剂上形成第三互连结构，所述第三互连结构连接至所述第一通孔。