[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域包括第一半导体区、在所述第一半导体区之上的第一栅极结构、以及在所述第一栅极结构两侧通过外延包括SiGe的第一半导体材料形成的第一源区和第一漏区；所述NMOS区域包括第二半导体区和在所述第二半导体区之上的第二栅极结构；

向所述第一源区和所述第一漏区引入p型杂质；

在引入p型杂质后，执行第一退火工艺，以使得p型杂质扩散；

在执行第一退火工艺后，在所述第二栅极结构两侧形成第二源区和第二漏区，并向所述第二源区和所述第二漏区引入n型杂质；

在引入n型杂质后，执行第二退火工艺，以使得p型杂质和n型杂质扩散。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一退火包括尖峰退火；

所述第二退火包括激光退火或闪光退火。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在900-1050℃的范围内执行第一退火工艺。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在950-1350℃的范围内执行第二退火工艺，退火时间为400-800μs。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述PMOS区域还包括在所述第一半导体区上的第一鳍片，所述第一栅极结构横跨在所述第一鳍片上；

所述NMOS区域还包括在所述第二半导体区上的第二鳍片，所述第二栅极结构横跨在所述第二鳍片上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过如下步骤形成所述第一源区和所述第一漏区：

对所述第一鳍片未被第一栅极结构覆盖的部分进行刻蚀以形成凹陷；

在形成的凹陷中外延生长所述第一半导体材料以形成第一源区和第一漏区。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二栅极结构两侧形成第二源区和第二漏区，并向所述第二源区和所述第二漏区引入n型杂质包括：

对所述第二鳍片未被第二栅极结构覆盖的部分进行刻蚀以形成凹陷；

在形成的凹陷中外延生长第二半导体材料以形成第二源区和第二漏区；

其中，在外延生长第二半导体材料的过程中原位掺杂n型杂质。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二栅极结构两侧形成第二源区和第二漏区，并向所述第二源区和所述第二漏区引入n型杂质包括：

对所述第二鳍片未被第二栅极结构覆盖的部分进行刻蚀以形成凹陷；

在形成的凹陷中外延生长第二半导体材料以形成第二源区和第二漏区；

执行离子注入以向所述第二源区和所述第二漏区引入n型杂质。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述第二半导体材料包括Si或SiC。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行第二退火工艺之前，还包括：

在所述PMOS区域、所述NMOS区域、以及所述第二源区和所述第二漏区的表面沉积硅的氧化物层。