[发明专利]一种倒装芯片封装的片上系统

权利要求书

1.一种倒装芯片封装的片上系统，所述片上系统的第一知识产权IP核连接模拟电源BUMP(2)和模拟地BUMP(3)，其特征在于，所述第一IP核(1)与所述模拟电源BUMP(2)通过第一导线(7)连接，所述第一IP核(1)和所述模拟地BUMP3通过第二导线(8)连接，所述第一导线(7)和第二导线(8)之间连接有第一保护电路(5)。

2.根据权利要求1所述的片上系统，其特征在于，数字地BUMP(4)通过第二保护电路(6)连接到所述第二导线(8)上。

3.根据权利要求1或2所述的片上系统，其特征在于，所述第一保护电路5与所述模拟电源BUMP(2)之间的距离远小于所述第一保护电路(2)与所述IP核之间的距离；所述第一保护电路(5)与所述模拟地BUMP3之间的距离远小于所述第一保护电路(5)与所述IP核之间的距离。

4.根据权利要求3所述的片上系统，其特征在于，所述第一导线(7)和/或第二导线(8)为多层金属线。

5.根据权利要求4所述的片上系统，其特征在于，所述模拟电源BUMP(2)经过第一保护电路(5)至模拟地BUMP(3)间的电阻小于0.2欧姆。

6.根据权利要求2所述的片上系统，其特征在于，所述数字地BUMP(4)与所述第二保护电路(6)之间通过多层金属线连接，所述第二保护电路(6)与所述第二导线(8)之间通过多层金属线连接。

7.根据权利要求6所述的片上系统，其特征在于，所述数字地BUMP(4)经过第二保护电路(6)至所述模拟地BUMP(3)间的电阻小于0.2欧姆。

8.根据权利要求1或2所述的片上系统，其特征在于，所述第一保护电路(5)包括检测部分、触发部分和释放部分。

9.根据权利要求8所述的片上系统，其特征在于，所述检测部分包括RC检测电路，所述触发部分包括反相器电路，所述释放部分包括场效应管。

10.根据权利要求1或2所述的片上系统，其特征在于，所述第二保护电路(6)包括两个反向并联的二极管。