[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的介质层，以及形成于所述介质层上的振动膜层；

在所述基底上形成保护层，所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口，其中在所述基底第一区域上的保护层中形成有第一开口，在所述基底第二区域上的保护层中形成有第二开口；

沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层，所述覆盖层的材料与所述保护层相同；

刻蚀所述覆盖层，以在所述开口的拐角处形成间隙壁；

执行刻蚀，以在所述第二开口下方的基底中形成通孔；

在所述通孔中以及所述保护层和基底上沉积氮化硅层；以及

执行刻蚀，以去除位于所述第一区域的所述氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述覆盖层之后，还包括执行湿法刻蚀，以去除所述介质层的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀步骤还去除所述保护层及所述间隙壁。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料与所述覆盖层及所述保护层相同。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层与所述覆盖层及所述保护层均为氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述覆盖层为以正硅酸乙酯为原料所沉积的等离子体增强氧化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为2500-3500埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述覆盖层所采用的方法为干法刻蚀，刻蚀气体包括CF₄、Ar及CHF₃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述保护层所采用的方法为干法刻蚀，刻蚀气体包括CF₄、Ar及CHF₃。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-9中任一项所述的方法制成。