[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的介质层，以及形成于所述介质层上的振动膜层；在所述基底上形成保护层，所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口；沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层，所述覆盖层的材料与所述保护层相同；刻蚀所述覆盖层，以在所述开口的拐角处形成间隙壁。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件的制造方法，可避免在刻蚀氮化硅的过程中在保护层开口中产生氮化硅残留物。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。

由于传统的压力传感器存在尺寸较大、制作工艺较繁和操作不方便等因素的限制。MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)技术被广泛的应用在压力传感器的制作。MEMS技术制作的压力传感器具有微小化、可批量制作、成本低、精度高等优点，且可将压力传感器和控制电路集成在同一基底上，使得传感器的微弱的输出信号可以就近进行放大处理，避免了外界的电磁干扰，提高传输信号的可靠性。

压力传感器中的MEMS芯片在完成之后需要进行封装。也就是把芯片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。通常在器件的某些区域形成球形凸点用以代替引脚，并在另一些区域形成用于支撑或隔离的氮化硅。为了避免在对氮化硅进行刻蚀的过程中损伤到器件表面，需要在器件表面形成保护层，在保护层中形成有用以形成凸点的开口。而在刻蚀氮化硅时，容易在上述开口的拐角处形成残留，影响器件的性能。

因此，有必要提出一种半导体器件及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的介质层，以及形成于所述介质层上的振动膜层；

在所述基底上形成保护层，所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口；

沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层，所述覆盖层的材料与所述保护层相同；

刻蚀所述覆盖层，以在所述开口的拐角处形成间隙壁。

示例性地，刻蚀所述覆盖层之后还包括执行湿法刻蚀，以去除所述介质层的步骤。

示例性地，所述湿法刻蚀步骤还去除所述保护层及所述间隙壁。

示例性地，所述介质层的材料与所述覆盖层及所述保护层相同。

示例性地，所述介质层与所述覆盖层及所述保护层均为氧化物层。

示例性地，在所述基底第一区域上的保护层中形成有第一开口，在所述基底第二区域上的保护层中形成有第二开口。

示例性地，在所述开口的拐角处形成间隙壁之后还包括执行刻蚀，以在所述第二开口下方的基底中形成通孔的步骤。

示例性地，还包括在所述通孔中以及所述保护层和基底上沉积氮化硅层，以及执行刻蚀，以去除位于所述第一区域的氮化硅层的步骤。

示例性地，所述覆盖层为以正硅酸乙酯为原料所沉积的等离子体增强氧化层。

示例性地，所述覆盖层的厚度为2500-3500埃。