[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610933857.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108010845A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一栅极结构及第二栅极结构，所述第一栅极结构完全位于有源区上，所述第二栅极结构部分位于隔离结构上；
形成覆盖所述半导体衬底、第一栅极结构及第二栅极结构的覆盖层；
在所述第二栅极结构上方的覆盖层上形成掩膜层，并对未被所述掩膜层遮蔽的覆盖层执行回刻蚀；
执行刻蚀，以在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；
在所述凹槽中生长SiGe层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的形状为Σ形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层为SiN层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层至少覆盖所述覆盖层位于隔离结构上的部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成于所述第二栅极结构的侧壁上的覆盖层的底部覆盖至有源区。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述覆盖层覆盖至有源区的尺寸为1～8nm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜层至少覆盖所述第二栅极结构的侧壁上的覆盖层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述覆盖层之前还包括在第一栅极结构及第二栅极结构上形成间隙壁的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述覆盖层之前还包括在第一栅极结构及第二栅极结构上形成偏移侧壁的步骤。
10.一种采用权利要求1-9之一所述方法制备的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
