[发明专利]一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：

一基板；

一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括：

一第1第1半导体层；

一第2半导体层，形成于所述第1第1半导体层上；

一第3半导体层，形成于所述第2半导体层上；

一闸极电极，一汲极电极，及一源极电极，形成于所述第3半导体层上；及

一惠斯登电桥整流电路，形成于所述基板上，所述惠斯登电桥整流电路包括：

一第1整流二极管；

一第2整流二极管，电性连接于所述第1整流二极管；

一第3整流二极管，电性连接于所述第2整流二极管；

一第4整流二极管，电性连接于所述第3整流二极管；

一第1发光二极管，形成于所述基板上且包括一第2第1半导体层；及

一电路图案，所述电路图案将所述第1晶体管电性连接为一第1电流稳定单元，并将所述第1电流稳定单元电性耦接于所述第1发光二极管。

2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第1发光二极管更包括：

一主动层，形成于所述第2第1半导体层上；及

一第4半导体层，形成于所述主动层上。

3.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述闸极电极包括钨、铂、金、镍、铝所组成的群组中的任一或组合，且/或所述源极电极与所述汲极电极包括钛、铝、镍、金、铬所组成的群组中的任一或组合。

4.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述电路图案形成于所述基板上。

5.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第1整流二极管、第2整流二极管、第3整流二极管、第4整流二极管为萧基二极管，且形成于所述基板上。

6.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第1整流二极管、第2整流二极管、第3整流二极管、第4整流二极管为发光二极管，且形成于所述基板上。

7.一种发光装置，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的半导体组件；及

一电源，所述电源通过所述电路图案电性连接所述第1发光二极管与所述第1电流稳定单元。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1晶体管的闸极电极耦接所述第1晶体管的源极电极。

9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1电流稳定单元还包括一萧基二极管，所述萧基二极管电性连接于所述第1晶体管与所述电源之间，所述萧基二极管的阳极电极耦接所述第1晶体管的源极电极。

10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述萧基二极管形成于所述基板上。

11.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1电流稳定单元还包括一第2晶体管，所述第2晶体管电性连接于所述第1晶体管与所述电源之间，所述第2晶体管的汲极电极耦接所述第1晶体管的源极电极，所述第2晶体管的闸极电极耦接所述第2晶体管的汲极电极，且所述第2晶体管的源极电极耦接所述电源。

12.如权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述第2晶体管的结构与所述第1晶体管相同，且所述第2晶体管形成于所述基板上。

13.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第1整流二极管电性连接于所述电源的第1端与所述惠斯登电桥整流电路的第1输出端之间，且所述第1整流二极管的阳极电极耦接所述电源的第1端；所述第2整流二极管电性连接于所述电源的第2端与所述惠斯登电桥整流电路的第1输出端之间，且所述第2整流二极管的阳极电极耦接所述电源的第2端；所述第3整流二极管电性连接于所述惠斯登电桥整流电路的第2输出端与所述电源的第2端之间，且所述第3整流二极管的阳极电极耦接所述惠斯登电桥整流电路的第2输出端；及所述第4整流二极管电性连接于所述惠斯登电桥整流电路的第2输出端与所述电源的第1端之间，且所述第4整流二极管的阳极电极耦接所述惠斯登电桥整流电路的第2输出端，其中所述第1整流二极管、所述第2整流二极管、所述第3整流二极管及所述第4整流二极管为发光二极管或萧基二极管。